8月6日消息，日本芯片制造業龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業務資本支出增長將減緩，并尋求擴張核能發電及智能型電網業務，3年后其電力及基礎建設業務的獲利，將達電子產品部的2倍。
東芝的半導體部門已連續3季出現營業虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領域尋求固定營收來源，例如健康醫療及水處理等。
東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產品部門于2012年3月底結束的會計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎建設業務獲利則可達2000億
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東芝 NAND 晶圓
盡管最近市場調研公司VLSI仍不修正半導體業陰沉的預測， 即09年全球設備市場下降44.2%及半導體市場下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業仍非常樂觀。
根據與Hutcheson的對話及公司的最新報告， 以下將結論刊出， 共有4個正面意見及2個負面看法。以下是為什么分析師呈現樂觀或者擔心的原因。
1. 看到回升
7月的周報IC銷售額上升到33億美元， 打破了三周來IC銷售額的陰沉局面， 因為通常7月是典型的弱月份， 所以這條消息具正面意見。依周與周的比較，IC銷
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Cisco 通訊 太陽能 NAND
在NAND Flash供貨商產能減產效應及新興市場庫存回補需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷售價格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收都較上一季成長，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營收為27億8千6百萬美元，較上一季的20億8千6百萬美元成長33.6%QoQ。
就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收排行來看，Samsung營收為10億3千7
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Micron NAND
據臺灣媒體報道，東芝日前發生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產能并未受到影響，然令業界意外的是，由于該廠房主要生產包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。
內存業者認為，過去記憶卡價格一直嚴重偏低，業界趁此機會調漲終端記憶卡售價，但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。
業內人士表示，2009年初NAND Flash芯片價格持續上漲，記憶卡價格卻沒有跟上來，導致NAND Flas
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東芝 NAND 晶圓
據國外媒體報道，美國知識產權公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權芯片及相關產品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。
BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術的閃存芯片的編程和讀取方法有關。MLC技術能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。
申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
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三星 NAND 閃存芯片 MLC
海力士(Hynix)NAND Flash產業之路命運多舛，之前48納米制程量產不順，加上減產之故，幾乎是半退出NAND Flash產業，直到近期新制程41納米制程量產順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」!
海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
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Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
7月下旬NAND Flash合約價在一片淡季聲中，仍是穩住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數量不多，因此即使市場的買氣平平，NAND Flash價格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產出仍會較第2季成長25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。
根據英鼎
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三星 NAND 記憶卡
臺塑集團布局DRAM產業更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產業動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產業地位。
存儲器業者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
蘋果高管近日在財報分析師電話會議上表示，該公司已與東芝達成閃存芯片長期供貨協議，并向后者預付5億美元貨款。
這一交易對于東芝而言可謂“及時雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價格滑坡和來自三星電子的激烈競爭等問題。
消息人士表示，5億美元相當于蘋果一個季度NAND閃存芯片需求量的價值。
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蘋果 閃存芯片 NAND
英特爾公司已經開始采用更為先進的34納米生產流程制造其領先的NAND閃存固態硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產品將使SSD的價格(與一年前推出產品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。
多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統硬盤(
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英特爾 34納米 NAND 固態硬盤
隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產品，應戰三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產品詢問度大增，三星在現貨市場活絡度則降低。
英特爾
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Intel 34納米 NAND 42納米
電子行業報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。
該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。
三星半導體事業群總裁勸五鉉周四在一次業內活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。
該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規模，或是迄今的已投資額。
ETnews報稱，芯片業務下半年的投資將側重于引進更先進的生產技術，比如采用40納米制程生產DRAM和
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三星 DRAM 30納米 NAND
周一消息 研究機構iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現象，大幅削弱了之前對2009年固態硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。
iSuppli專研行動和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業市場的銷量就會減緩。
多層單元(MLC)規格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
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NAND 閃存 MLC
全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。
按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產。
在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。
究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存儲器
市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續因市場需求疲軟而下降。
原因是目前正是傳統的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。
由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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英特爾 DRAM NAND 34納米
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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