- 據市調公司DRAM Exchange的調查，2009年，傳統筆記本市場上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%，而 在低端市場SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價格的上漲。今年上半年，這種規格閃存的價格不斷上揚，而由此產生的利潤空間自然就減小了。
DRAM Exchange聲稱上網本與傳統筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現持續下降的態勢，結果導致“SSD銷量總體表現很糟糕”。相比傳統機械硬盤，SSD硬盤的每GB價格依
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SSD NAND 上網本
- 6月22日消息，據路透社報道，三星電子周一表示，已與日本東芝就半導體業務簽署交叉授權交易。
東芝是繼三星電子之后，全球第二大NAND快閃記憶體(閃存)芯片制造商。
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三星 NAND 芯片制造
- 今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格(ASP)反彈，令供應商非常高興，使其在2008年經受慘重損失之后又獲得了希望。
為了盡快恢復盈利，這些供應商在2008年紛紛削減產能以應對市場需求疲弱的局面。據iSuppli公司，此后，NAND閃存價格在第一季度上漲了11%，在第二季度估計上漲了28%。
雖然這對于閃存供應商來說是好事，但卻可能對固態硬盤(SSD)在主流PC市場的普及帶來負面影響。SSD的90%由閃存部件構成。
SSD上網本失色
在全球電子市場面臨不確定性之際，PC制造
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SSD NAND 上網本
- SD(安全數碼卡)目前是我們的主要應用產品市場之一。由于有新的標準和產品出現，MMC(多媒體卡)逐漸走向嵌入式應用。SD/MMC目前占我們營收比重仍是最大的，約在30%左右，其實這部分業務在2008年是下滑的，而新業務帶來的收入在增長，2008年慧榮的出貨量增長了35%左右。我們在全球NAND型控制芯片市場占有很大的比重，但由于價格的下降，我們的銷售額與2007年持平。
總的來說，慧榮擁有3大產品線：移動存儲、多媒體單芯片及移動通信。移動存儲產品提供管理閃存的控制芯片，應用范圍包括閃存卡、U盤、
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SD NAND 移動存儲 多媒體單芯片 移動通信
- 據日本經濟新聞報道，東芝表示將關閉部份芯片生產部門，取消近期宣布的分拆決定，以整頓虧損累累的芯片業務。
報導指出，東芝計劃關掉Kitakyushu廠兩條生產線，而巖手縣Toshiba Electronics Co部門6寸晶圓產能則將腰斬。
據報載，公司將裁減生產線的臨時雇員，部份全職員工將改派至芯片部門以外的業務單位。
東芝預估，廢棄生產設備及采取相關措施所耗費的重整費用將達300億日元(約合3億美元)。東芝打算減少6寸或更小尺寸晶圓三成的產量。
公司意圖透過整頓虧損連連的芯片
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東芝 芯片 晶圓 NAND
- 全球非易失性存儲領先廠商恒憶(Numonyx)宣布任命龔翊(Grace Gong)為恒憶亞洲區嵌入式業務部副總裁。在加入恒憶前龔翊任飛索半導體(Spansion)嵌入式事業部亞洲區副總裁，龔翊的加入將為恒憶帶來更多針對亞洲嵌入式市場的經驗。作為副總裁，她將負責恒憶亞洲區嵌入式產品的銷售與業務管理，帶領團隊為亞洲客戶和合作伙伴提供更完善的服務與支持。
“亞洲在全球嵌入式產品市場具有重要的戰略地位，恒憶致力于提供相關產品與技術支持，以滿足嵌入式市場的需求”，恒憶全球嵌入式業務
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Numonyx 嵌入式 NOR NAND PCM
- 據國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價格，與美國芯片生產商SanDisk續簽了7年的NAND閃存技術許可協議，不過協議規定三星必須向SanDisk供應芯片。
三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協議是2家公司內部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費將是當前協議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協議我們感到非常滿意，此外，繼續獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。
新協
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三星 NAND 閃存
- 近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國Unity Semiconductor公司計劃找一家IDM合作建廠來制造該產品。
Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠建在亞洲，因為該存儲產品需用到鈣鈦礦。
據悉，建該工廠和一座先進邏輯晶圓廠相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過了
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Intel NAND 晶圓
- NAND Flash經歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產品現貨價跌破4美元心理關卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應在營收表現上。
模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
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蘋果 DRAM NAND
- 美國硅谷一家公司19日宣布開發出一種新技術，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。
這家名為“統一半導體”的公司發布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。
NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數碼產品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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存儲器 NAND 閃存
- 全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。
據道瓊斯新聞網報道，三星電子公司半導體業務總裁權五鉉當天對投資者說，很難預測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業壓縮信息技術產品開支以及消費者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機市場需求正在持續萎縮。
不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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三星 NAND 存儲芯片
- 恒憶半導體(Numonyx)、群聯電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發協議，三方將按照JEDEC新發布的JEDEC eMMC™ 4.4產業標準，為下一代managed-NAND解決方案開發閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統級性能。
根據這項協議，恒憶、群聯電子和海力士將利用各自的技術，開發能夠支持各種NAND閃存
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Numonyx NAND 閃存控制器
- 《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發布的財報可以看出，內存芯片行業似乎已經觸底，這對整個半導體行業來說是一個積極的信號。
雖然內存芯片行業收入只占全球半導體行業2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業中的日用商品，很難與其他芯片部門區分開來，因此是芯片行業整體表現的主要指標。內存行業下滑開始于2007年初，隨后芯片行業在2008年就開始了全面衰退。
上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
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海力士 NAND 內存
- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼
在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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NAND 存儲芯片
- TDK公司日前宣布開發出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
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TDK NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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