東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市

　　日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重，其有關產品的產銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤產品中采用了自己設計的 NAND閃存控制器，這種產品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經開始量產32nm NAND閃存芯片，不過目前東芝所售出的SSD硬盤產品仍以43nm NAND型產品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術帶來低成本實惠。

　　不過東芝近日宣布，他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產品，并將于本季度推出兩種基于這種32nm NAND閃存的SSD硬盤產品系列。預計這兩個系列的新產品將于第二季度開始量產，而OEM廠商則有望在節后的返校季節開始上市安裝了這類新產品的筆記本等設備。

　　其中新款SG2 SSD硬盤系列將采用mSATA接口設計(類似于mini-PCIe接口)。峰值順序讀取速度為180MB/s，峰值順序寫入速度為70MB/s。mSATA設計比傳統的2.5寸/1.8寸設計更有利于節省空間和降低成本。其中128GB容量的型號在體積上僅有傳統2.5寸SSD硬盤的1/7，高度僅有其1/8，功耗方面也大有縮減。目前上網本產品經常使用這種mSATA接口。

　　另外，東芝第三代HG3 SSD系列硬盤的峰值順序讀取速度則可達250MB/s，峰值順序寫入速度為180MB/s。該系列硬盤將有64/128/256/512GB四種型號，產品可采用9.5mm(厚度)x2.5寸外殼，另外其中128/256GB容量可采用7mmx2.5寸外殼，最后64/128/256GB型號還可以配用1.8寸外殼或更小尺寸的外殼.所有這些硬盤均支持AES數據加密技術。

　　最后，以上提及的兩個系列產品均可支持Windows7的TRIM功能，這種功能可改善SSD硬盤的性能并提升產品的耐久性。