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消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格

10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格。▲ 圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產戰略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產量大幅下降了 40%，最初的減產舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業務產量，眼下正試圖推動
關鍵字：三星 NAND flash 漲價

面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰略

面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰略據韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業務，并利用其在那里的成熟節點能力來針對國內需求的產品。關于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
關鍵字： CHIPS法案韓國半導體 DRAM NAND

集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續減產，已經市場去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現反彈，9 月繼續上漲。行業巨頭三星繼續減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
關鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

第二季NAND Flash營收環比增長7.4%，預期第三季將成長逾3%

據TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態勢延續，使NAND Flash第二季平均銷售單價（ASP）續跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環比增長達19.9%，合計第二季NAND Flash產業營收環比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產行列，且預期第三季將擴大減產幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產業供應商家數多，在庫存仍高的情
關鍵字： NAND Flash TrendForce

NAND Flash第四季價格有望止跌回升

近日，三星（Samsung）為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主，據TrendForce集邦咨詢調查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續擴大，銷售價格皆已接近生產成本，供應商為了維持營運而選擇擴大減產，以期帶動價
關鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce

行業庫存情況如何？國內一存儲廠商回應

近日，存儲器芯片供應商普冉股份披露投資者關系活動記錄表。關于NOR Flash行業庫存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經幾近健康，設計原廠的庫存調整也逐步接近尾聲。接下來一段時間，各廠商依然會采取適當的降價策略去化庫存。但隨著行業庫存逐步健康，行業格局逐步出清，預計下半年會持續向好，價格也會逐步回歸平穩態勢，公司將密切關注后續市場走勢。普冉股份強調，公司將積極地進行戰略盤整，持續調整以應對市場的迅速變化。面對激烈的行業競爭格局，機遇與挑戰并存，公司會充分發揮公司的
關鍵字：存儲普冉股份 NOR Flash

使用NAND門的基本邏輯門

邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數或任何布爾或其他邏輯表達式。基本邏輯門的真值表：了解每個邏輯門的功能對熟悉轉換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子，一個用于輸入，另一個用于輸出。門的輸入是二進制數，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然。可能出現的級數由 2a 計
關鍵字： NAND 邏輯門

采用NAND和NOR門的SR觸發器

在本教程中，我們將討論數字電子學中的基本電路之一--SR 觸發器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路，即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發生器和校驗器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當前狀態，而不取決于輸入或輸出的過去狀態。除了少量的傳播延遲外，當輸入發生變化時，組合邏輯電路的輸出立即發生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當前的輸入，還取決
關鍵字： NAND NOR門 SR觸發器

三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
關鍵字：三星 NAND 閃存

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
關鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND

基于FPGA的NAND Flash的分區續存的功能設計實現

傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數據，會覆蓋上次存儲的數據，無法進行數據的連續存儲。針對該問題，本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態機圖，并進行了驗證。
關鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區起始地址

因業務低迷，消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產

IT之家 8 月 16 日消息，據韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產設備。業內人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產線部分設備的生產，該生產區主要負責生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設備將停產至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續低迷，業界猜測三星的 NAND Flash 產量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發布的 2023 年第一季度財報中也正式
關鍵字：三星電子 V-NAND

基于NAND門的行李安全警報

在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會攜帶許多重要的物品，而且總是擔心有人會偷走我們的行李。因此，為了保護我們的行李，我們通常會用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會擔心有人會割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中，當有人試圖提起你的行李時，它就會發出警報，這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產生聲光指示。這種電路的另一個用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
關鍵字： NAND 邏輯門

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存，然后通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器
關鍵字： ROM RAM FLASH DDR EMMC

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]