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        nand flash 文章 進入nand flash技術社區

        被壟斷的NAND閃存技術

        • 各家 3D NAND 技術大比拼。
        • 關鍵字: NAND  3D NAND  

        三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

        • 今年 Q3,存儲產品價格有望迎來拐點。
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

        • 據TrendForce集邦咨詢調查,5月起美、韓系廠商大幅減產后,已見到部分供應商開始調高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預期今年第三季起將轉為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產品庫存仍待促銷去化,現階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
        • 關鍵字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

        傳鎧俠/西數合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星?

        • 近日,據日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數據的合并經營已經進入最終收尾調整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數據既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱,鎧俠和西部數據正在探討出資設立新公司、統一開展半導體生產及營銷的方案等,未來雙方將進行經營合并,擬由鎧俠掌握主導權,關于出資比率等將繼續探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業績低迷,鎧俠和西部數據此舉意在提升經營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
        • 關鍵字: 鎧俠  西數  NAND Flash  三星  

        DDR5 重新下跌,內存現貨價格未見回暖

        • 業界對 DDR5 DRAM 的市場預期不太樂觀。
        • 關鍵字: NAND Flash  NAND  DDR5  

        需求持續下修,第一季NAND Flash總營收環比下跌16.1%

        • 據TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應商持續透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產業營收約86.3億美元,環比減少16.1%。SK集團(SK hynix & Solidigm)及西部數據(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現,環比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環比減少24.8%
        • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

        兆易創新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

        • 中國北京(2023年5月16日) —— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度僅為0.4mm,容量高達128Mb,是目前業界在此容量上能實現的最小塑封封裝產品,可在應對大容量代碼存儲需求的同時,提供極大限度的緊湊型設計自由。近年來,隨著物聯網、可穿戴、健康監護、網通等應用的快速發展,市場需求變化多樣,不僅要在精致小巧的產品形態中
        • 關鍵字: 兆易創新  超小尺寸  SPI NOR Flash  

        NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐

        • 據中國臺灣《經濟日報》報道,全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財報,營收1億2407萬美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內的主要客戶,目前一致認為市況仍極具挑戰。PC和智能手機終端市場持續呈現疲弱,上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存,包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商,因此影響相關控制芯片的營收。茍嘉章認為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
        • 關鍵字: NAND  閃存  主控芯片  

        3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術

        • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
        • 關鍵字: 3D NAND  

        復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

        • 4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發存儲新產品。FM25/FM29系列產品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數和數據保存10年的高可靠性要求,應用于工規、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
        • 關鍵字: 復旦微電  NAND Flash  EEPROM  存儲器  

        先進封裝推動 NAND 和 DRAM 技術進步

        • 先進封裝在內存業務中變得越來越重要。
        • 關鍵字: 封裝  NAND  DRAM   

        英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產品

        • 【2023 年 04 月 10日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產品。這種存儲器經過專門優化,適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監測儀、無人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業應用不斷涌現,有助于實現精準跟蹤、記錄關鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進的功能和使用場景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據Omdia 數據顯示,藍牙耳
        • 關鍵字: 英飛凌  SEMPER  Nano NOR Flash  閃存  

        預估第二季NAND Flash均價續跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

        • 即便原廠持續進行減產,然需求端如服務器、智能手機、筆電等需求仍未見起色,NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態,故TrendForce集邦咨詢預估,第二季NAND Flash均價仍將持續下跌,環比下跌幅度收斂至5~10%。而后續恢復供需平衡的關鍵在于原廠是否有更大規模的減產,TrendForce集邦咨詢認為若目前需求端未再持續下修,NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈,反之,若旺季需求端持續疲弱,均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件庫存去化已見成
        • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

        2023年內存芯片趨勢

        • 2023 年,存儲芯片的跌勢仍在延續,何時止跌還是未知數。
        • 關鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND  

        NAND Flash 大降價,固態硬盤取代機械硬盤指日可待

        • 相信有很多小伙伴已經注意到了,目前市場上很多固態硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態硬盤所需的 NAND 芯片降價導致的。根據集邦咨詢的數據顯示,NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風,供應鏈積極去化庫存加以應對,此情況導致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業級固態硬盤)是下跌最劇烈的產品,跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息,但對于普通消費者來說,我們確實能買到更便宜的固態
        • 關鍵字: NAND Flash  
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        nand flash介紹

         Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

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