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        nand flash 文章 最新資訊

        NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%

        • 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
        • 關鍵字: NAND Flash  

        采用NAND和NOR門的SR觸發器

        • 在本教程中,我們將討論數字電子學中的基本電路之一--SR 觸發器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路,即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發生器和校驗器等,都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中,輸出只取決于輸入的當前狀態,而不取決于輸入或輸出的過去狀態。除了少量的傳播延遲外,當輸入發生變化時,組合邏輯電路的輸出立即發生變化。還有一類電路,其輸出不僅取決于當前的輸入,還取決
        • 關鍵字: NAND  NOR門  SR觸發器  

        三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

        • 據媒體報道,三星作為全球最大的NAND閃存供應商,為了提高新一代NAND閃存的競爭力,將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈,各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND,同時正在將日本東京電子(TEL)的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線,此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加,在上半年結束時,三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
        • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  

        3D NAND還是卷到了300層

        • 近日,三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存,據爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份,據歐洲電子新聞網報道,西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知,固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
        • 關鍵字: V-NAND  閃存  3D NAND  

        基于FPGA的NAND Flash的分區續存的功能設計實現

        • 傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數據,會覆蓋上次存儲的數據,無法進行數據的連續存儲。針對該問題,本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間,記錄最新分區信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態機圖,并進行了驗證。
        • 關鍵字: 202308  NAND Flash  FPGA  分區  起始地址  

        因業務低迷,消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產

        • IT之家 8 月 16 日消息,據韓國電子時報報道,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產設備。業內人士透露,三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產線部分設備的生產,該生產區主要負責生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND,其中的設備將停產至少一個月。外媒表示,鑒于市場持續低迷,業界猜測三星的 NAND Flash 產量可能會減少 10% 左右,而三星在近來 4 月份發布的 2023 年第一季度財報中也正式
        • 關鍵字: 三星電子  V-NAND  

        基于NAND門的行李安全警報

        • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中,我們會攜帶許多重要的物品,而且總是擔心有人會偷走我們的行李。因此,為了保護我們的行李,我們通常會用老辦法,借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后,我們還是會擔心有人會割斷鎖鏈,拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼,這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中,當有人試圖提起你的行李時,它就會發出警報,這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用,即使在夜間也是如此,因為它還能在繼電器上產生聲光指示。這種電路的另一個用途是,您可以在家中使用這種電路,以便在這種報警電路的幫助
        • 關鍵字: NAND  邏輯門  

        ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

        • 簡單解釋ROMROM:只讀存儲器,內容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios,在系統裝好的電腦上時,計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存,然后通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲器,可重復使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM:隨機存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數據的內部存儲器
        • 關鍵字: ROM  RAM  FLASH  DDR  EMMC  

        被壟斷的NAND閃存技術

        • 各家 3D NAND 技術大比拼。
        • 關鍵字: NAND  3D NAND  

        三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

        • 今年 Q3,存儲產品價格有望迎來拐點。
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚

        • 據TrendForce集邦咨詢調查,5月起美、韓系廠商大幅減產后,已見到部分供應商開始調高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預期今年第三季起將轉為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產品庫存仍待促銷去化,現階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
        • 關鍵字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

        傳鎧俠/西數合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星?

        • 近日,據日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數據的合并經營已經進入最終收尾調整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數據既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱,鎧俠和西部數據正在探討出資設立新公司、統一開展半導體生產及營銷的方案等,未來雙方將進行經營合并,擬由鎧俠掌握主導權,關于出資比率等將繼續探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業績低迷,鎧俠和西部數據此舉意在提升經營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
        • 關鍵字: 鎧俠  西數  NAND Flash  三星  

        DDR5 重新下跌,內存現貨價格未見回暖

        • 業界對 DDR5 DRAM 的市場預期不太樂觀。
        • 關鍵字: NAND Flash  NAND  DDR5  

        需求持續下修,第一季NAND Flash總營收環比下跌16.1%

        • 據TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應商持續透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產業營收約86.3億美元,環比減少16.1%。SK集團(SK hynix & Solidigm)及西部數據(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現,環比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環比減少24.8%
        • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

        兆易創新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

        • 中國北京(2023年5月16日) —— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度僅為0.4mm,容量高達128Mb,是目前業界在此容量上能實現的最小塑封封裝產品,可在應對大容量代碼存儲需求的同時,提供極大限度的緊湊型設計自由。近年來,隨著物聯網、可穿戴、健康監護、網通等應用的快速發展,市場需求變化多樣,不僅要在精致小巧的產品形態中
        • 關鍵字: 兆易創新  超小尺寸  SPI NOR Flash  
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        nand flash介紹

         Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

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