在國產化Flash閃存領域，NAND閃存的領軍當屬長江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創新。 5月30日，兆易創新官方宣布，旗下Flash閃存產品累計出貨量已經超過190億顆，其中NOR閃存的市場份額更是排名全球前三。 兆易創新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術工藝上持續打磨產品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產品已經上市，可大大縮減系統PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產品即將面世，可顯著延長電池壽命。 NOR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環、無線耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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兆易創新 NOR Flash
Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%，但Nor Flash產品的銷售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長了33%，平均售價則上漲23%。預計Nor Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。 Nor Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創新3家廠商主導，市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷售額達10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來，采用58納米制程生產大多數的NOR產品，但2021年大多數已轉進40納米制程。
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華邦電 旺宏 兆易創新 Nor Flash
NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數來提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態的數量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現的每個單元
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SSD NAND Flash 鎧俠
隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元。可見芯片將成為汽車新利潤增長點，有望成為引領半導體發展新驅動力。 汽車芯片從應用環節可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規模約52億美元，國內汽車存儲芯片市場規模
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北京君正 兆易創新 DRAM NAND
5月30日兆易創新宣布，公司Flash產品累計出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創新在NOR Flash領域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創新NOR Flash產品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創新業務還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時間行業普遍缺芯的背景下，兆易創新的營收與凈利潤均實現大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
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兆易創新 NAND Flash
據IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數據顯示， NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%，但NOR Flash產品的銷售額飆升63%至29億美元， NOR Flash 出貨量增長了33%，平均售價則上漲23%。機構樂觀預計NOR Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。NOR Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創新3家廠商主導，市占率共達 91%。該機構指出，去年華邦電NOR Flash銷售額達10億美元，市占率以35%居
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兆易創新 NOR Flash
A股市場向來熱衷炒作預期。投資者樂于為概念買單，愿意給一家公司提前多年的估值。國產半導體設計龍頭兆易創新(SH:603986)，就曾是一個被預期打滿的例子。2020年初，兆易創新市值一度突破1200億。然而19年和20年，它才只有25億和38億營收。過度估值的結果就是，當抱團瓦解，兩年之內兆易創新股價經歷三次大起大落。圖片：兆易創新剛到千億市值，到如今 來源：雪球當下，作為A股閃存設計龍頭的兆易創新，再一次試圖向千億市值發起了沖擊。這一次，它有什么新故事嗎？01 基本面往事要想看清楚兆易創新的新故事，看清
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兆易創新 NOR Flash
6月21日消息，半導體市場研究機構IC Insights發布的最新研究報告指出，2021年NOR Flash市場銷售額雖然僅占整個Flash市場的銷售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長了33%，同時平均售價也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷售額同比暴漲了63%，達到了29億元。根據IC Insights的預測， 2022年NOR Flash市場還將繼續增長 21%，使得總銷售金額達到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠直接受益。數據顯示，華邦電子、旺宏
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根據斷電之后數據是否依舊被保存對半導體存儲器進行劃分，半導體存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類。我們熟知的RAM（隨機存取存儲器）屬于易失性存儲器，其中RAM又可分為DRAM（動態隨機存取存儲器）與SRAM（靜態隨機存取存儲器）。而ROM（只讀存儲器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲器，即斷電之后存儲器中的數據仍然能被保存的存儲設備。據IC Insights預測，2022年、2023年全球存儲芯片的市場規模將分別達到1804億和2196億美元，市場成長空間廣闊。但在全球的存儲芯片領域，市
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作為國內 MCU 產商的領先公司，兆易創新將直接受益于 MCU 國產化，強化其領先地位，擴寬其成長潛力。全球汽車缺芯帶來公司估值的上漲，智能駕駛與物聯網帶來全新的創新方向，國產化擴寬公司的成長潛力。1. 確定性與創新性是公司估值擴張最有力的保障半導體行業庫存結構性緊張帶來確定性的估值上漲。半導體存貨緊張引起供應不足，帶來市場的高景氣。汽車電子市場需求旺盛，產業鏈沖擊的持續與消費電子等芯片市場產能擠壓共同影響，汽車芯片產能釋放不及時，存貨市場將帶來公司估值確定性擴張。圍繞最具活力的創新性方向擴張其估值。創新
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兆易創新 MCU NOR Flash
近日，韓國進出口銀行海外經濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業長江存
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DRAM NAND
近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
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長江存儲 3D NAND
全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規模約占56%，NAND Flash市場規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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存儲芯片 DRAM NAND Flash
這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格
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長江存儲 3D NAND
近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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長江存儲 3D NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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