三星西安工廠工藝升級獲批，將引進236層NAND芯片生產設備

據悉，三星電子經營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開始引進新設備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產基地，2014 年開始投產，經 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產基地，占三星電子 NAND 芯片總產量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內部署生產 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。

2022 年 11 月，三星電子宣布已經開始大規模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子當時沒有公開芯片的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。

三星電子閃存產品與技術執行副總裁 SungHoi Hur 表示：「由于市場對更密集、更大容量存儲的需求推動了更高的 V-NAND 層數，三星采用了先進的 3D 壓縮技術，以減少表面積和高度，同時避免通常在壓縮時出現的單元間干擾。我們第 8 代 V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求，并使我們更好地提供更多差異化的產品和解決方案，這將是未來存儲創新的基礎。」

為什么對西安工廠進行升級？

三星電子對西安工廠進行升級的原因大致出于兩方面的考慮，在全球 NAND 閃存市場未出現明顯回暖跡象下，三星電子欲維持全球龍頭老大的地位。從去年底開始，全球 IT 市場尤其是半導體景氣不振，三星電子在 NAND 業務上也持續低迷，加上未能出貨的庫存積壓，赤字不斷擴大。

今年三季度，三星電子設備解決方案（DS）部門虧損推測為 3 萬億韓元以上，其中 2 萬億韓元虧損來自 NAND 業務。雖然三星電子持續減產，但對業績的改善效果不及預期，因此決定升級工藝制程。通過生產最新第 8 代產品不僅可確保價格競爭力和市場需求，且相比于第 6 代產品，第 8 代產品所需芯片減少 30%，可起到自然減產效果，符合市場需求保持供需平衡。

三星電子自今年 4 月宣布減產后，第 6 代（128 層）V-NAND 主產地西安工廠開工率大幅降低。業內判斷此時為升級工廠的最佳時機，西安工廠 236 層 NAND 工藝趨于穩定后，將逐漸減少現有生產線。其次，美方日前同意向三星電子和 SK 海力士提供半導體設備，令這兩家半導體大廠得以喘息。

一位業界人士稱，三星西安工廠擴建雖然仍有困難，但在進行設備維護或工藝轉換方面不會存在太大問題，雖然因工藝升級設備數量增加，芯片的投入量和產能會有所降低，但出貨量仍保持穩定。業內預測三星電子 DS 部門有望于明年上半年實現扭虧為盈，今年前兩季度，該部門均出現 4.5 萬億韓元左右的虧損，三季度收窄至 3 萬多億韓元。尤金證券市場調查負責人李勝宇稱，由于減產效果逐漸顯現，庫存量明顯減少，價格將持續反彈，三星電子業績有望得到改善。

此外，在存儲市場經歷了長時間的低迷后，NAND 也終于迎來了它的漲價周期。

NAND 開始漲價

據悉，三星內部認為目前 NAND Flash 芯片供應價格過低，計劃在今年第四季度將 NAND Flash 芯片價格調漲 10％以上，且最快自 10 月開始漲價。

據了解，三星上月已與小米、OPPO 及谷歌等客戶簽署了內存芯片供應協議，DRAM 和 NAND Flash 芯片價格較之前合同價格上調 10%-20％。三星還預計，從第四季度起存儲芯片市場或將供不應求。

今年以來，三星一直奉行減產戰略。最初的減產舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年開始著手大幅削減 NAND Flash 芯片的產量。此次調漲 NAND Flash 芯片合約價格，是三星電子繼先前宣布 NAND Flash 芯片減產后，企圖提振 NAND Flash 芯片價格的最新策略。SK 海力士、美光等大型芯片廠商調整了其 NAND 產品的價格，合約價至少上漲了 10%。