- TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查報告顯示,受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預估在第三季擺脫供過于求,轉為供需較為平衡的格局。
從供給面來觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續宣布3D-NAND Flash的量產時程,但嵌入式產品應用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統端搭配的相容性問題,DRAMeXchange預估2015年3D-NAND Flash的產出比
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TrendForce NAND
- TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查報告顯示,受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預估在第三季將擺脫供過于求,轉為供需較為平衡的格局。
從供給面觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續宣布3D -NAND Flash的量產時程,但嵌入式產品應用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統端搭配的相容性問題,DRAMeXchange預估,2015年3D-NAND Flash的產出比重將僅
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TrendForce NAND Flash
- 在存儲器芯片市場上,垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業間的競爭也將漸趨激烈。
據韓國MT News報導,2016年前3D V-NAND市場規模預估將擴大10倍,而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導體廠加速生產V-NAND。三星獨大V-NAND市場,為拉大與后起業者的差距,生產產品將從目前的32層堆疊結構,增加到48層。
外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術分類,V-N
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三星 V-NAND
- 1 VxWorks系統的啟動流程
嵌入式VxWorks操作系統的啟動包括兩個階段,一是BootRom引導,二是VxWorks操作系統映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像,它主要是初始化串口、網口等很少的硬件系統來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS,是真正在目標板上運行的操作系統。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統,這樣操作系統才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區別如表 1所示。
VxWorks內核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機采
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VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD
- 固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協助SSD廠商開發價格媲美傳統硬碟的產品,驅動SSD在筆電、工控、企業端及消費性儲存市場出貨量翻揚。
慧榮科技產品企畫處副總經理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上,主要因素在于SSD開發商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
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3D NAND SSD
- 在經歷多次市場價格的大起大落后,全球存儲器芯片產業終于在近年來邁向整合,使得定價漸趨穩定。不過,近來存儲器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預測數據,并歸因于快閃存儲器的價格下滑,引發外界質疑新興的穩定機制是否為曇花一現的假象,又或現狀僅是個別公司所遭遇的瓶頸。
據Barron's Asia報導指出,眼下雖然存儲器芯片價格有所衰退,但許多專家仍對整體產業抱持樂觀態度,認為與2014年積弱不振的表現相比,快閃存儲器的市場供需平衡現已漸入佳境,多數問題的發生恐是因公司而異,并非普遍的業界趨勢。
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存儲器 3D NAND
- 固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協助SSD廠商開發價格媲美傳統硬碟的產品,驅動SSD在筆電、工控、企業端及消費性儲存市場出貨量翻揚。
慧榮科技產品企畫處副總經理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上,主要因素在于SSD開發商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
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3D NAND SSD
- 2014年NAND flash銷售數據出爐,IHS報告稱,前四大業者中,三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長,唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產品出包遭蘋果召回,市占和業績雙雙下滑。
BusinessKorea報導,IHS 13日報告稱,三星電子穩居NAND flash老大,去年銷售年增4%至90.84億美元,市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%,銷售也大減將近3億美元。
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三星 NAND flash
- 近年來,固態硬盤似乎已經成為了計算機的標配。而隨著SSD的普及,人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間,制造商們正在想著3D NAND技術前進。與傳統的平面式(2D)設計相比,垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近,一家名為Stifel的市場研究公司卻發現:為了實現這一點,制造商們正在砸下大筆投資,而這種成本壓力卻無法在多年的生產和銷售后減退多少。
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影響利潤的一個主要原因是,3D NAND芯片的生產,比以往要復雜得
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3D NAND SSD
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。
這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發而成,垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度。基于該技術,可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量,進而帶來很大的成本節約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。
當前,平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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英特爾 NAND
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。
這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發而成,垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度。基于該技術,可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量,進而帶來很大的成本節約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。
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當前,平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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英特爾 鎂光 3D NAND
- 東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業聯合會) e?MMC? 版 5.1[1]標準、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產品。新產品集成了采用15nm工藝技術制造的NAND芯片,廣泛適用于各類數字消費產品,包括智能手機、平板電腦和可穿戴設備。16GB和64GB產品樣品即日起出貨,32G
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東芝 NAND
- 雖然東芝的宣傳口號是“智社會 人為本,以科技應人之求”,但2015慕尼黑上海電子展上,仔細觀看東芝強大產品陣容之后,我倒更愿意用“半導體技術溫暖你的心”來形容它。因為東芝的很多設計確實很貼心,真的可以讓生活更加方便快捷。
東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司說,中國市場大體上有兩種產品需求,一是以量價為中心的產品,另一種是以提高附加值為中心的產品。東芝有非常寬廣的產品線來滿足以上兩種市場的需求。
東芝展位
存儲產品解決方案
東
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東芝 LED NAND
- 全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司近日宣布成功開發出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內投入試生產,于2016年進行規模化商業生產。
閃迪存儲技術部執行副總裁Siva Sivaram博士表示:“我們非常高興能夠發布第二代3D NAND,它是一種48層架構,與我們的合作伙伴Toshiba共同研發。 我們以第一代3D NAND技術為基礎,完成了商業化的第二代3D NAND的開發;我們相信,它將為我們的客戶提供讓人贊
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閃迪 NAND
- 儲存裝置市場正醞釀一波小型新創公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業者把持的儲存市場,目前已遭到許多小型新創公司崛起并搶走市場。調查也發現,消費者預期未來將擴大使用Flash存儲器與固態硬碟(SSD),因此,傳統大廠必須調整策略才能扭轉頹勢。
據TechRadar報導,全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創公司推出快閃技術產品,因此,其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。
據IDC調查發現,截至2014年第2季為止,由四大廠供應的高
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IBM SSD Flash
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [
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