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        閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產

        作者: 時間:2015-03-31 來源:電子產品世界 收藏

          全球領先的閃存存儲解決方案供應商公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D 閃存(亦稱為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內投入試生產,于2016年進行規(guī)模化商業(yè)生產。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/271855.htm

          存儲技術部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示:“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D ,它是一種48層架構,與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D 技術為基礎,完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信,它將為我們的客戶提供讓人贊嘆的存儲解決方案。”

          計劃將第二代3D NAND技術廣泛地應用于各種解決方案中,范圍涵蓋可移動產品到企業(yè)級SSD。



        關鍵詞: 閃迪 NAND

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