nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

無(wú)NAND之地：閃存無(wú)法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

　　NAND會(huì)不會(huì)徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會(huì)。截至2018年的磁盤(pán)與SSD出貨容量預(yù)測(cè)顯示，磁盤(pán)的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤(pán)間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì)給制造流程帶來(lái)巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫(xiě)滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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基于藍(lán)牙技術(shù)的LED點(diǎn)陣屏設(shè)計(jì)方案

　　0 引言　　本文設(shè)計(jì)一種內(nèi)容更新便捷、可擴(kuò)展、低價(jià)格的點(diǎn)陣LED 文字顯示屏。降低成本的途徑是①用幾乎人人都有的手機(jī)的藍(lán)牙數(shù)據(jù)傳輸功能進(jìn)行LED 顯示內(nèi)容的更新，免去專業(yè)上位機(jī)軟件和控制卡的成本，操作也更簡(jiǎn)單;②單次顯示內(nèi)容在5 ~ 30 個(gè)漢字或英文字母，因?yàn)轱@示內(nèi)容較少，就可實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展電路的簡(jiǎn)單化。　　1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案　　1. 1 系統(tǒng)組成　　系統(tǒng)由帶藍(lán)牙功能的智能手機(jī)和LED 顯示屏組成。其中，LED 顯示屏由單片機(jī)、LED 點(diǎn)陣模塊、字庫(kù)芯片、藍(lán)牙接收模塊、5V 開(kāi)關(guān)電源和3.3
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DSP編程技巧之29---答疑解惑哪家強(qiáng)之（4）

　　答疑解惑哪家強(qiáng)?當(dāng)屬我們EEPW最強(qiáng)。。。接下來(lái)繼續(xù)我們的答疑解惑。　　22. 除了使用編譯器的優(yōu)化選項(xiàng)之外，還可以使用什么方法提高程序的性能? 　　編譯器的優(yōu)化選項(xiàng)，只能在代碼滿足眾多選項(xiàng)的要求時(shí)，才能得到較好的優(yōu)化效果。在我們編程的時(shí)候，首先要做到心里有數(shù)，盡可能使用一些高效的編程方式，例如使用右移操作代替除以2的倍數(shù)的操作，可以大幅度地減少代碼運(yùn)行時(shí)間等。這些技巧很多是與C/C++的熟練使用所相關(guān)的。此外，根據(jù)器件的特點(diǎn)，例如是否包含F(xiàn)PU、CLA等，把特定的代碼放在不同的區(qū)域執(zhí)行，也能起
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NAND吃緊！花旗：三星、hTC將學(xué)蘋(píng)果加大智能機(jī)容量

　　Investor.com 3日?qǐng)?bào)導(dǎo)，花旗發(fā)表研究報(bào)告指出，三星電子、宏達(dá)電 (2498)等智慧型手機(jī)制造商有望跟隨蘋(píng)果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機(jī)的儲(chǔ)存容量，這會(huì)提高市場(chǎng)對(duì)SanDisk產(chǎn)品的需求。　　費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股SanDisk 3日聞?dòng)嵣蠞q2.02%、收103.36美元;該檔個(gè)股在11月總計(jì)勁揚(yáng)了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(pán)(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來(lái)收盤(pán)新高。　　根據(jù)報(bào)告，花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
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分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”

　　TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng)，估計(jì) 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%，至276億美元。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆捎诮K端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是
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SSD價(jià)格快速下滑　普及化只剩時(shí)間問(wèn)題

　　固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散，帶動(dòng)儲(chǔ)存容量擴(kuò)大，并加速SSD大眾化時(shí)代的來(lái)臨。　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，SSD將形成半導(dǎo)體新市場(chǎng)，價(jià)格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價(jià)格在2014年第3季時(shí)為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。　　南韓業(yè)界認(rèn)為，目前價(jià)格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價(jià)格將降低至50美元以下。　　南韓Woor
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2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)向上，產(chǎn)值成長(zhǎng)超過(guò)10%

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng)，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%，達(dá)276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆捎诮K端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年
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三星半導(dǎo)體份額增長(zhǎng) 與Intel差距史上最小

　　韓聯(lián)社首爾11月30日電市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)HIS本月30日發(fā)布的一份調(diào)查報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)今年三星電子半導(dǎo)體銷售額同比劇增15.6%，將達(dá)382.73億美元，其全球市場(chǎng)份額同比上升0.6個(gè)百分點(diǎn)，將達(dá)10.9%，穩(wěn)居全球第二。　　同期，美國(guó)半導(dǎo)體巨頭因特爾的半導(dǎo)體銷售額同比增長(zhǎng)6.3%，將達(dá)499.64億美元，雖然占據(jù)世界第一的位置，但其全球市場(chǎng)份額逐年下降，預(yù)計(jì)今年的市場(chǎng)份額同比下滑0.4個(gè)百分點(diǎn)，為14.2%。由此，三星電子和因特爾的市場(chǎng)份額相差僅為3.3個(gè)百分點(diǎn)，縮小至歷史最低值。　　三星電子和
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SSD 2年內(nèi)價(jià)格砍半　每GB首度跌破0.5美元

　　次世代資料儲(chǔ)存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)價(jià)格，2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構(gòu)NAND Flash量產(chǎn)行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價(jià)格下滑，SSD應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大，有加速普及的傾向。　　據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料報(bào)導(dǎo)，256GB的SSD 2014年第3季平均售價(jià)(ASP)為124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，與2012年同期價(jià)格226美元相比，跌幅更達(dá)45.1%，意即最近2年內(nèi)SSD價(jià)格幾乎砍
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蘋(píng)果變心、東芝掉大單？愛(ài)瘋6 NAND傳改由三星提供

　　三星電子(Samsung Electronics)是蘋(píng)果 (Apple)在智慧手機(jī)市場(chǎng)上的死對(duì)頭，雙方更于之前在全球展開(kāi)轟轟烈烈的專利侵權(quán)大戰(zhàn)、蘋(píng)果并祭出所謂的「去三星化」措施。惟隨著蘋(píng)果/三星同意中止在美國(guó)以外地區(qū)(包括澳洲、日本、南韓、德國(guó)、荷蘭、英國(guó)、法國(guó)、義大利)的官司互訟，也象征雙方將握手言和，蘋(píng)果將重回三星懷抱、擴(kuò)大采用三星制零件? 　　日本蘋(píng)果情報(bào)網(wǎng)站iPhone Mania 27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓媒體BusinessKorea 26日指出，目前蘋(píng)果iPhone 6除了已使用三星集團(tuán)公司Sa
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我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)上市公司大盤(pán)點(diǎn)（上）

　　隨著《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》和千億國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的成立，集成電路產(chǎn)業(yè)熱度逼人，而我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展快速，涌現(xiàn)出一批具備一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的骨干企業(yè)，下面小編就為大家一一介紹，看看我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)都有哪些上市企業(yè)。　　太極實(shí)業(yè) 　　無(wú)錫市太極實(shí)業(yè)股份有限公司前身為無(wú)錫市合成纖維總廠，創(chuàng)立于1987年。通過(guò)幾年的發(fā)展，具有相當(dāng)技術(shù)和經(jīng)濟(jì)實(shí)力。在國(guó)內(nèi)有一定知名度和發(fā)展前途的技術(shù)先進(jìn)型企業(yè)。公司先后開(kāi)發(fā)出花色差別化長(zhǎng)絲、丙纖煙用過(guò)濾絲束、滌淪簾子線等三大主體產(chǎn)品。1991年被評(píng)為中
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閃迪聯(lián)合創(chuàng)始人榮獲美國(guó)科技成就和創(chuàng)新最高榮譽(yù)

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今天公布閃迪聯(lián)合創(chuàng)始人、退休的董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官 Eli Harari 博士因其對(duì)閃存技術(shù)研發(fā)和普及的重大貢獻(xiàn)而被美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)授予國(guó)家技術(shù)與創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)隆? 　　美國(guó)國(guó)家技術(shù)與創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)麓砹送七M(jìn)科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步的美國(guó)國(guó)家最高榮譽(yù)，獲獎(jiǎng)?wù)邔?duì)加深人類對(duì)世界的認(rèn)識(shí)和改善人類的生活作出了不可磨滅的貢獻(xiàn)。在美國(guó)國(guó)家政要和其他獲獎(jiǎng)?wù)叩囊?jiàn)證下，美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬于11月20日在白宮舉辦的典禮上授予EliHarari博士該項(xiàng)獎(jiǎng)?wù)隆? 　　25年前，Harari博士與合伙人共同創(chuàng)立了
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臺(tái)內(nèi)存大廠揮軍日本　直闖工控和車用市場(chǎng)

　　征戰(zhàn)海外展覽的臺(tái)灣內(nèi)存大廠，終于在日本找到了機(jī)會(huì)。
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六大NAND Flash廠商：東芝最“吸金”

　　2014第三季度 NAND Flash廠商營(yíng)收排名出爐，其中東芝最為亮眼，原因是因?yàn)樗顫q勢(shì)最猛。
關(guān)鍵字： NAND Flash 東芝三星

美光咬蘋(píng)果大單力成同樂(lè)

　　蘋(píng)果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機(jī)后，今年底或明年初，將緊接推出Apple Watch智能手表，目前正展開(kāi)一波拉貨，力成最大客戶美光傳出大啖蘋(píng)果Apple Watch存儲(chǔ)器絕大部分訂單，力成受惠度看漲，也激勵(lì)今天股價(jià)逆勢(shì)上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤(pán)間的狹幅震蕩。　　據(jù)了解，Apple Watch采用512MB LPDDR3，內(nèi)建4GB或8GB容量的NAND Flash，美光包辦絕大部分的訂單，而在下游后段封測(cè)代工制程方面，目前多半由力成與華東共同負(fù)責(zé)，由于測(cè)試時(shí)
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]