IC設計第3季財報全數公布完畢，累計前3季，聯發科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元，穩居IC設計每股盈余獲利王，也是稅后凈利獲利王，其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW)，前3季每股稅后盈余為13.67元，排名第二，第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(8299-TW)，前3季每股盈余為13.34元，排名第三。
根據公開資訊站資料顯示，聯發科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩居IC設計之冠，表現亮眼，顯示行動裝置需求持續升溫，第3季旺季效應加持發威下，相關廠商營運表現都相當亮眼，聯發科第
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聯發科 觸控IC FLASH
昨天，Spansion舉行媒體發布會，推出面向消費電子、通信和工業嵌入式系統的工業級eMMC閃存產品，并向記者介紹了eMMC閃存的市場定位和需求情況。
與其他Spansion產品一樣，這次發布的eMMC閃存主要是針對嵌入式客戶設計的，這類客戶通常對于工作溫度范圍、數據保護和支持工具有嚴格的測試和要求，這樣讓OEM能夠更容易地據此設計自己的產品。
據Spansion公司NAND閃存產品營銷及業務拓展總監Touhid Raza介紹，eMMC是一種在行業使用比較普遍的存儲器標準，而Spansio
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Spansion eMMC NAND
TrendForce最新研究報告顯示，隨著中國市場近幾年的蓬勃發展與政策開放，GDP成長率呈現高度的成長，所伴隨而來的就是驚人的消費潛力，無論是PC、智能型手機與平板市場都把中國市場列入第一戰區。TrendForce旗下權威內存研究機構DRAMeXchange最新數據顯示，以2Gb顆粒來換算，2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經高達47.89億與70.36億，分別占全球產能19.2%與20.6%。
從DRAM市場來觀察，PC-DRAM在中國市場的消化量已經來到15%，內需市場的強勁
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內存 DRAM Flash
引言
FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優點，已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質有較大區別，使用FLASH時必須根據其自身特性，對存儲系統進行特殊設計，以保證系統的性能達到最優。
FLASH的特點
FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)，根據結構的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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FLASH NAND
全球半導體市場第3季，以870億美元創下史上最高營收紀錄，景氣持續樂觀。其中亞太地區比前年增加12.0%成長最多，南韓業者營收屢創新高，然而日本地區卻出現成長衰退跡象。
據Digital Times報導，日前美國半導體產業協會(SIA)宣布，第3季半導體產業全球營收，與前年同期相比成長8.0%，以870億美元創下史上單季最高紀錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導體貿易統計組織(WSTS)在7月預測的年度成長值6.5%。
SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導
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半導體 DRAM NAND
全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費、通信和工業設備市場的工業級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿足上述市場對可靠、更高密度存儲日益增長的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領先業界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應用的SLC NAND閃存產品組合。
Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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Spansion NAND MMC
第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業者進入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現也相對穩健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流，有助于各家業者成本結構的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現持續亮眼以及新產品的問世，整體N
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NAND Flash SSD iPhone6
過去媒體與業界常講最尖端、先進的半導體技術不會到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導體技術到中國投資都有設定限制，因此過去國際半導體廠在中國投資半導體相關事業，以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術、買設備與外資合作建立中國半導體產業的新局后，有了重大改變。
英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機芯片廠展訊聯合宣布，以 15 億美元入股紫光集團，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內存事
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AMD Spansion NAND
中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產 NAND 產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質量、低密度 NAND 閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
NAND 閃存是近年來發展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產品、移動計算、物聯網(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域。客戶也可利用此技術帶動串行外設接
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中芯國際 NAND
TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查報告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢幕尺寸的 iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達22%，成功扭轉過去一年來iPhone趨緩的銷售動能，重新站穩高階智慧型手機領導廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢幕尺寸從一直堅守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價格上也開始展現更積極的策略。
DRAMeXchange
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智能手機 NAND
在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據，MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數據，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應用中，這種應用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應
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MSP430 Flash EEPROM
由于航天應用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時，撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數據，使系統運行到無法預知的狀態，從而引起整個系統失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優勢，可靠性高。
ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務，包括基于反熔絲和閃存技術的FPGA、高性能IP核、軟件開發工具和設計服務，定位
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FPGA FLASH 反熔絲
儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯 (8299)董事長潘健成表示，智慧手機市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產品規格之后，其它手機品牌廠出現搶零組件熱潮。
他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優于本季。
潘健成表示，先前消費者期待iPhone 6上市，導致iPhone 5系列產品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統也在第2季出現清庫存的情況，上游供應商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
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NAND 控制晶片
核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。
東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。
由于智能型手
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東芝 NAND
雖然規模和技術遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現在他們準備進軍新的市場領域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發的技術。
NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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中芯國際 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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