nand flash 文章最新資訊

武漢新芯：定位存儲(chǔ)器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨(dú)立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲(chǔ)器 NOR NAND 201401

單片機(jī)高手是怎樣煉成的

近來在論壇總是見到一些菜鳥們?cè)诖蠼校骸拔蚁雽W(xué)單片機(jī)”，“我要學(xué)單片機(jī)”，“如何入門啊?”，“你們?cè)趺催@么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題，實(shí)在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
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ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
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武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲(chǔ)器為特色

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營。
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AVR的主要特性

AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡(jiǎn)指令集高 ...
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缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開發(fā)方法

對(duì)FLASH存貯器單片機(jī)，不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手：一、盡量使用高級(jí)語言開 ...
關(guān)鍵字：仿真器時(shí) avr單片機(jī) FLASH

ARM編程中Flash ROM驅(qū)動(dòng)示例

Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
關(guān)鍵字： ARM編程 Flash ROM驅(qū)動(dòng)

單片機(jī)下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

8K的flash是有8*1024個(gè)字節(jié)，一條指令可能有1~4個(gè)機(jī)器碼，即1~4個(gè)字節(jié)，其中1~2機(jī)器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣 ...
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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
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基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲(chǔ)器 NAND 寄存器 201312

Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場(chǎng)份額

全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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2014年Flash LED市場(chǎng)走勢(shì)將呈現(xiàn)M型化

　　FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%，看準(zhǔn)Flash商機(jī)，LED業(yè)者積極投入Flash市場(chǎng)。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，2014年FlashLED市場(chǎng)將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA所主導(dǎo)，而低階則會(huì)以驅(qū)動(dòng)電流350mA為主。　　LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動(dòng)、不需要充電與壽命較長等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
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可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)

與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)...
關(guān)鍵字： NAND 移動(dòng)設(shè)備大容量存儲(chǔ)

國際廠競(jìng)搶Flash LED新高地明年恐見殺價(jià)潮

　　LED產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑，壓縮各廠獲利空間，廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競(jìng)逐的市場(chǎng)，除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺(tái)廠有億光、新世紀(jì)、光寶科等業(yè)者，但近期市場(chǎng)傳出，韓廠三星將走出過去堅(jiān)守的4139封裝規(guī)格，計(jì)劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者越來越多，估計(jì)FlashLED明年將會(huì)見到一波價(jià)格下殺潮。　　消費(fèi)者對(duì)于智慧型手機(jī)要求越來越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
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高容量Flash MCU需求漲

嵌入式系統(tǒng)智能化商機(jī)旺　MCU廠升級(jí)eFlash制程　　微控制器（MCU）廠商在嵌入式快閃記憶體（eFlash）新一輪先進(jìn)制 ...
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]