- 今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產品，有其自主知識產權內核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設計提供了多樣選擇。
專注于專用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產品上發力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么?
處于從專用向通用MCU升級的開端
MCU(單片機，微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機，而日本、
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海爾 MCU Flash 201408
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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LVDS FPGA Flash
- 并非所有的嵌入式應用都“生而平等”。在設計者們繼續尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中，一個必須考慮的重要因素是嵌入式應用的運行環境。從北極地區冰冷刺骨的戶外天線，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機，嵌入式應用所需支持的環境千差萬別。嵌入式系統及其組件不僅須支持高溫環境下功能運作，還必須保持其交流和直流參數以及其它規格要求。如果在極端溫度范圍內無法滿足所有規格要求，必須做出得失權衡，就必須記錄下這一信息，并在設計過程中進行共享。在汽車、消費、工業、游戲、網絡或通信應用中，
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Spansion NAND FL1-K
- 全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業界領先的產品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術，使消費類及企業級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能。 Marvell公司總裁、聯合創始人
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Marvell 控制器 NAND
- 科研投資
日本資深專業人士泉谷涉還說：2012年日本國內半導體產值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對應用半導體的服務業、硬件業以及通過IT業以提高生產力的下游產業來計算，半導體產生的經濟效益約為100萬億日元 ，兩者之比達到1：20，如此給力，誰不動心?!但是，半導體業又一向被稱為“食金蟲”產業，沒有國家的大力支持，沒有生產設備和科研經費的巨大投入，那是美夢難圓的。
半導體設備投資也是引導世界經濟增長的要素之一，它每年投資計劃的發表還常關聯到生產設備、材料公司的股
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半導體 NAND IC 201405
- 2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長，2014年，平板電腦應用需求亦值得期待，尤其在中國大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進一步擴大eMMC市場規模，引來業內廠商混戰一片......
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Flash 控制芯片
- 智慧之石 作為電子工業發展基礎的電子器件，已經歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)。 電子管的發明拉開了電子時代的序幕，為當時蓬勃發展的無線電報事業提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發明和應用。美國是電子工業發展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
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NAND DRAM PC 201404
- 隨著FPGA的功能日益強大和完善，FPGA在項目中的應用也越來越廣泛，其技術關鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅動模塊的設計，其接口基本符合Avalon總線的規范要求，并且通過實際的讀寫操作驗證
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Flash 驅動 FPGA
- 靜態隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM(靜態隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數據不丟失。 1、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數據總線的立體封裝SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
- 全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導致產出成長高于后續實際需求而讓市況呈現供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產能調配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。
2013年全年整體市況與供需產銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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NAND DRAM
- 本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預充電等操作，同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復用，作為SOC芯片的功能模塊。
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FPGA Flash SOC CPU VHDL
- 載荷圖像可視化是深空探測任務中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實時傳輸所有載荷數據，因此星載復接存儲器中圖像的抽取下傳是實現任務可視化的關鍵。
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存儲器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH
- 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結構的設計，同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現需要很大資源才能實現的程序。以Virtex5系列開發板和配置存儲器SPI FLASH為基礎，從硬件電路和軟件設計兩個方面對多重配置進行分析，給出了多重配置實現的具體步驟，對實現復雜硬件設計工程有一定的參考價值。
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FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器
- 存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。
展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發前端制程，包括動態隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發展，積極與國際大廠洽商合作。
美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。
為進一步集成DRAM封測業務，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
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存儲器 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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