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        中國半導體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產能

        作者: 時間:2016-06-14 來源:科技新報 收藏

          中國砸銀彈扶植進度、成效驚人,國際設備材料產業協會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)上周五發布最新報告指出,今明兩年全球新增的產能,預估有超過一半都將來自中國。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201606/292583.htm

          據SEMI表示,全球2016-2017年共將興建17座半導體廠,當中有10座設在中國,其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規模較小,主要生產類比式芯片、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems)與LED等。對照日、韓同期間僅新增一座存儲器產線。

          全球半導體投資不分海內外均向中國集中,這是中國傾國家之力發展半導體所創造的結果。中芯國際(SMIC)、武漢新芯(XMC Limited)目前都在蓋新廠,英特爾與臺積電在大陸也有大規模投資計劃正在進行。

          據統計,今年全球半導體產能投資金額上看360億美元,較去年成長1.5%,明年更將成長13%至407億美元,其中多數將用于投資3D 快閃存儲器與10 納米晶圓廠。



        關鍵詞: 半導體 NAND

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