中國存儲器“3+1”版圖初現

　　對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個地方加一個企業牽頭的“3+1”存儲器版圖已初現端倪。

　　此前，中國還未有任何一家企業在存儲器主流市場中占據過一席之地。面對一個動輒上百億元巨額投資、由寡頭壟斷的產業，讓人不由得思考：這種多方并進、多點齊投的發展模式是不是合理?各方選擇的路徑顯然都不是坦途，最后哪條才能走進存儲器的明天?

　　新進入者

　　要創造不可能的可能

　　在這個寡頭割據的市場中，完全沒有給新進入者留下太多發展的余地。

　　“現實世界中應當不會有新加入者了，因為它無法實現規模經濟，不可能加入進來持續虧錢。”Bernstein分析師Mark Newman告訴《中國電子報》記者。

　　Mark Newman指出，新進入者通常在起步時就要落后同行業至少3年，在供需平衡的情況下，新進入者一年可能要面臨60%左右的虧損;而在產能過剩的情況下，新進入者的虧損很可能達到百分之幾百。

　　參考過去十幾年的經驗，這個市場并不是沒有新進入者。

　　中國臺灣地區曾在2001年至2010年間以400億美元的大手筆投資大幅挺進存儲器市場，最多的時候能夠占據存儲器總市場份額的20%。但最終結果慘淡，市場并不歡迎這個新玩家，目前中國臺灣存儲器只剩下4%的市場份額。

　　這一次，決心晉身存儲器玩家的是中國大陸。

　　從 2014年《國家集成電路產業發展推進綱要》特別指出要發展新興存儲等關鍵芯片產業，到工信部印發的貫徹落實《國務院關于積極推進“互聯網+”行動的指導 意見》行動計劃(2015-2018年)中提出到2018年在海量存儲系統領域取得重大突破，毫無疑問，面對常年“缺芯”的窘境，市場總額超過800億美 元、卻幾乎100%依賴進口的存儲器已經上升到國家意志的高度，發展刻不容緩。

　　中科院微電子所研究員霍宗亮告訴《中國電子報》記者，對新 進入的中國玩家，想切入DRAM和NAND閃存領域存有一線可能。DRAM制程工藝已快遇到物理上的極限，更新換代越來越慢，技術難度越來越大，在這樣的 情況下，國外廠家有可能跟中國新進入者共同研發或技術轉移，但利潤很薄，前景堪憂。

　　他指出，閃存則開始走進3D NAND新興技術，該技術可以向下延展到更多的技術節點，比如32層、48層、64層、96層……在設備成本差別不大的情況下，中國新進入者只要完成前期的技術開發，后續的進展有可能加速。