武漢新芯估2018年量產48層NAND

　　紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發腳步迅速，可能2018年就能量產3D NAND。

　　巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發和交叉授權協定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他們相信2017年底就能取得48層3D NAND的驗證，2018年進行量產。

　　目前只有三星有能力量產48層3D NAND，另一記憶體大廠SK海力士預料要到今年下半才能生產。

　　與 此同時，Malik也指出，中國投入半導體市場，對設備商來說短多長空。中國砸錢大買設備建廠，應用材料(Applied Materials)、Lam Research一開始有望受惠。但是長期而言，設備業者將流失非中國業者訂單。這是“零和游戲”，中國訂單大增，表示其他記憶體和晶圓代工大廠需要減少 資本開支。(注：零和游戲/zero sum game，一方獲利意味另一方將蒙受損失、兩者相加的總和永遠為零)

　　他強調，中國加入不會擴大全球半導體設備支出，因為中國向半導體的三大資本開支大廠，采購大量晶片。這三大業者分別是臺積電(2330)、英特爾、三星電子。中國計畫2020年前，國內消費的40%晶片改為自制。

　　巴 倫(Barronˋs)網站4月12日報導，Bernstein分析師Mark Newman表示，記憶體業者自相殘殺，等到中國廠商進入市場，情況將急轉直下。報告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，他們財力雄厚，等到供給上線 后，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3D NAND技術大約落后領先廠商4~5年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產之后，市場供給過剩將更加惡化。

　　巴倫(Barronˋs)網 站、韓媒etnews 4月報導，Brean Capital的Mike Burton表示，目前只有三星有能力制造3D NAND，其他業者要到今年下半才開始生產。3D NAND采用較舊制程(35~50奈米)，業者能以較低成本、提高產能。英特爾主管David Lundell表示，預計大連廠會在今年底量產3D NAND。