- 多年來，汽車行業的發展和創新一直推動著半導體行業的發展。根據IHS的數據可知，汽車半導體市場的年收入已經超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內部半導體元件的總價值約為1000美元，而中檔車內部半導體元件的總價值約為350美元，汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數汽車MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業和消費類應用領域的一系列產品中，并且是非易失性存儲器技術的
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嵌入式 閃存
- 在對待用戶方面，華為還有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是，在硬碰硬的訴訟較量方面，華為又有很多值得其他企業效仿之處——不輕言放棄。
前段時間爆出的P10“內存門”或“閃存門”讓很多華為的忠實粉絲大跌眼鏡。
從法律上看，華為可能并不存在“以次充好”或“偷工減料”的做法，但是，其在澄清說明相關做法時，又顯得脫離用戶。
使得疑問變質疑最終可能
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華為 閃存
- 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。
近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
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紫光 NAND
- 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。
近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大
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紫光 NAND
- 市場調查機構DRAMeXchange近日發布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
閃存是指在斷電情況下仍能存儲數據的半導體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產3D NAND將陸續上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業于今年二季度起量產64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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NAND SK海力士
- 內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性
根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。 不過
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內存 NAND
- 面對全球信息化加速發展，以電子信息為代表的新一代信息技術產業呈爆發式增長態勢。2016年陜西實現了新一代信息技術產業的持續高速增長，全年電子制造業總產值超過700億元，同比增長50%以上，其中半導體產業產值達到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術產業助力陜西在經濟發展上實現“彎道超車”?半導體產業在其中又起了怎樣重要的推動作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。
西安高新區：聚焦新興產業帶動轉型升級
近年來
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集成電路 閃存
- 伴隨全球化帶來的產業轉移，中國半導體產業正向上游延伸。產業發展也進一步增強了兼收并購需求。
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東芝 閃存
- 希望大家平時一定要注意這些消費陷阱，買到真正優秀的好手機。
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閃存 SoC
- 2017年將是3D NAND Flash應用市場快速崛起的關鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術以求突圍，由于新舊技術轉換，良率仍不穩定，加上固態硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業者預期2017年下半產出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時代。
三星在2
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三星 NAND
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。
Gart
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DRAM NAND
- 全球領先的嵌入式非易失性存儲器解決方案提供商賽普拉斯半導體公司與中國最先進的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識產權相結合，為閃存產品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經開始使用這項技術進行低功耗嵌入式閃存產品的試生產，針對藍牙低功耗和物聯網應用。賽普拉斯高耐用性、可擴展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進行了優化，使其成為微控制器(MCU)和物聯網(IoT)應用的
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賽普拉斯 閃存
- 這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。 一、 接線 這個開發板搭載了一個256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：
偷個懶，直接上引腳復用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復用為輸入
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SAM4E NAND
- 隨著APP體積不斷擴大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番，最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數據并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?
日前，海力士(SK Hynix)推出業界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB。
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海力士 NAND
nand 閃存介紹
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