旺宏NAND論文 獲國際肯定

　　內存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內存研發實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業界最關注的3D NAND議題上扮演重要角色。

　　旺宏強調，獨立研發的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠現有技術，以相同的堆棧層數，卻可達到二到三倍的內存密度。

　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NAND 型閃存開發，旺宏開發的SGVC新3D NAND Flash只要堆棧16層，內存密度即可達到現行閘極環繞型結構 (GAA)所堆棧48效果。

　　此外，由于記憶晶胞為平坦垂直渠道型晶體管結構，可大幅減少幾何效應對于整體電性的敏感度，適合于需要頻繁讀取數據的各式應用，低層數的堆棧也有利提升制程良率。