IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

        全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)。基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。

       IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR 全新車用溝道 MOSFET 系列可在下一代汽車應(yīng)用，包括集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能。”

        所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000 次溫度循環(huán)測(cè)試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過 20%。然而，經(jīng)過延長(zhǎng)測(cè)試后，IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化不到 10%，體現(xiàn)了該物料單的高強(qiáng)度和耐用性。

        新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料環(huán)保，不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。