IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

        全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。

       IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR 全新車用溝道 MOSFET 系列可在下一代汽車應用，包括集成式起動發電機和電動助力轉向系統應用中實現基準性能。”

        所有 IR 車用 MOSFET 產品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質量理念，并經過了動態和靜態器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標準要求器件在經過1, 000 次溫度循環測試后，導通電阻變化幅度不能超過 20%。然而，經過延長測試后，IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環時的最大導通電阻變化不到 10%，體現了該物料單的高強度和耐用性。

        新器件符合 AEC-Q101 標準，所采用的材料環保，不含鉛，也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。