- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業應用,包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫療設備的解決方案。 美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件,據市場研究機構Yole Développement預計,從201
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美高森美 MOSFET SiC
- 開關電源是利用現代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩定輸出電壓的一種電源,開關電源一般由脈沖寬度調制控制IC和MOSFET構成。隨著電力電子技術的發展和創新,使得開關電源技術也在不斷地創新。目前,開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備,是當今電子信息產業飛速發展不可缺少的一種電源方式。
根據中國電源學會收集整理的數據,2008年全國開關電源(主要包含消費類開關電源、工業類開關電源、通信電源、PC電源,下同)產值達到855億元,2009年達931億元,
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開關電源 MOSFET
- 1.前言
變頻器在能源節約、電力環保方面意義重大,電動機驅動是電能消耗大戶,約消耗全國65%發電量,近三十多年來變頻調速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用,其他家用電器例如變頻冰箱,變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現,因此設計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。
變頻技術目前得到了廣泛的應用,而變頻器的可靠穩定運行決定了變頻器性能指標,作為基礎硬件,變頻器電源的高效可靠運行至關重要。如圖1所示為變頻器的拓撲結構,主要由整流單元、預充電電路、制動單元和逆變單元組成,從圖中可知,變頻器電源
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AN8026 MOSFET
- 隨著城市快節奏的發展,大多數人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源,不僅浪費還污染環境。故而引進了汽車系統中的“啟停”功能,但是這種系統也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰,汽車啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。
為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實現了“啟停”功能,而且為數眾多的這種汽車已經開始上路。這些系統會在汽車停下來時關閉發動機,當腳從剎車踏板移動
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P-FET MOSFET
- 國際整流器公司?(International?Rectifier,簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列,適合多種工業應用,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流等。 全新60V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管,以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
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IR StrongIRFET MOSFET
- Allegro?MicroSystems,?LLC?公司宣布推出針對多輸出系統的新型雙轉換器。Allegro’經?AEC-Q100?標準認證的?A8651?是雙?2?A?低?VIN?同步穩壓器,帶可調頻率,整合了高端?P?通道?MOSFET?和低端?N?通道?MOSFET。A8651?整合電流模式控制,可
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Allegro 雙轉換器 MOSFET
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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供電處理器 凌力爾特 MOSFET 均流控制器 二極管
- ?? 凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅動器?LT8311,該器件在隔離式同步正向轉換器中無需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨特的預測模式,通過在副邊檢測信號以控制同步整流,無需信號變壓器實現原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數量和解決方案尺寸。 LT8311?在?3.7V?至?30V
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凌力爾 MOSFET LT8311
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率,在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻,占位面積為2mm?x?2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET,其支持?40V?至?100V?輸入電壓,進一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
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TI TO-220 MOSFET NexFET
- 凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出能接受?76V?輸入的高效率降壓型轉換器?LTC3637,該器件可提供高達?1A?的連續輸出電流。它在?4V?至?76V?的輸入電壓范圍內工作,非常適用于電信、工業、航空電子和汽車應用。LTC3637?運用可編程峰值電流模式設計,在很寬的輸出電流范圍內優化效率。該器件提供高達&nbs
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Linear LTC3637 MOSFET
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備,以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T,擴充其光電子產品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離,還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓,非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環境。 除了具有優異的隔離能力,使用可靠和久經考驗的光電子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD,進一步完善了中壓產品組合。作為針對體二極管硬式整流進行優化的最新一代功率MOSFET,這些器件更加可靠耐用,具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復損耗,有助于實現最可靠的系統,特別是在硬開關應用中,如通訊系統、工業電源、D類音頻放大器、電機控制(適用于48–110V系統)和直流/交流逆變器等。 提高可靠性,同時節省成本 OptiMOS?FD家族具備針對最高性能標準而優化的反向恢復電荷(Qrr)。相比標
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英飛凌 OptiMOS MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副邊同步整流器驅動器 LT8309,該器件采用 MOSFET 取代了輸出二極管,無需使用散熱器就可允許高達 10A 的輸出電流。
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凌力爾特 LT8309 MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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