mosfet 文章最新資訊

Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現已提供1700V版本

如今為商用車輛推進系統提供動力的節能充電系統，以及輔助電源系統、太陽能逆變器、固態變壓器和其他交通和工業應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電
關鍵字： MOSFET MCU IGBT

原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續漲價

相比去年，已有多款MOSFET產品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內得不到解決，有業內人士認為下半年該產品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區新冠肺炎疫情延燒，導致產能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠又再度將產品的價格上調了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調MOSFET價格。相比去年，
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使用IC采樣保持放大器

采樣保持(S/H)功能是數據采集和模數轉換過程的基礎。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態。在第一種狀態下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數應用中，S/H用作數據采集系統中模數轉換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執行模數轉換所需的時間段內，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數據轉換系統必須具備的系統功能模塊，所用的模數轉換器在進行轉換期間，必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類型模數轉換器就是
關鍵字： MOSFET

大聯大品佳集團推出基于NXP產品的5G open frame解決方案

大聯大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯大品佳推出基于NXP產品的5G open frame解決方案的展示板圖當前，系統對于電源設計要求正在變得愈發苛刻。隨著能源法規不斷完善，針對效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構已不能滿足需求，因此必須有新一代的架構設計來滿足現行的需求。大聯大品佳針對高效率的5G電源應用，基于NXP技術推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術IC
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硅晶體管創新還有可能嗎？意法半導體超結MDmesh案例研究

前言自從固態晶體管取代真空電子管以來，半導體工業取得了令人驚嘆的突破性進展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術進步，在封城隔離期間我們就無不可能遠程辦公，與外界保持聯系。總之，沒有半導體的技術進步，人類就無法享受科技奇跡。舉個例子，處理器芯片運算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進更多的晶體管。根據摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導體微處理器迭代50多年。現在，我們即將到達原子學和物理學的理論極限，需要新的技術，例如，分層垂直堆疊技術。同時，我們
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貿澤與Vishay攜手推出全新電子書介紹汽車級電子元件的新應用

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書An Automotive Grade Above（推動汽車電子進一步發展），探討支持電動汽車 (EV) 充電、車載信息娛樂系統等各種汽車應用所需的高性能解決方案。在這本電子書中，來自貿澤和Vishay的行業專家就現代汽車設計中一些富有創新性的技術提出了深入的見解，這些技術包括用于人機交互的光電傳感器和用于電動/混動汽車設計的光
關鍵字： MOSFET

儲能領域蘊藏節能機會 ADI積極推動節能減排

ADI 公司的檢測、信號轉換和信號處理技術為全球的能源基礎設施提供支持。從發電端的發電機電流電壓監測/ 風機振動監測、輸電環節的導線舞動監測/ 導線覆冰監測/ 地質災害監測、變電環節的變壓器振動監測到配電環節故障指示以及用電環節的電力計量，從微電網和公用事業到數據中心和工廠，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動汽車充電樁的大規模部署，ADI的高性能半導體解決方案可幫助合作伙伴設計智能、靈活、高效的電力與能源系統。ADI中國汽車技術市場?高級經理王星煒1? ?儲能系統B
關鍵字： 202107 MOSFET 儲能

超結高壓MOSFET驅動電路及EMI設計

分析了超結結構功率MOSFET在開關過程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線性產生更快開關速度的特性；給出了不同外部驅動參數對開關過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅動電路開關波形及開關性能的變化。最后，設計了優化驅動電路，實現優化的EMI結果，并給出了相應驅動電路的EMI測試結果。
關鍵字： 202106 超結驅動 EMI 非線性 MOSFET

ROHM開發出實現超低導通電阻的新一代雙極MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下，
關鍵字： MOSFET

Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產領先Qrr品質因數80 V/100 V MOSFET

基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產品經理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
關鍵字： Nexperia MOSFET

安森美半導體推出創新的超高密度離線電源方案

推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結
關鍵字： MOSFET

功率器件的演變

隨著世界中產階級的增加以及汽車、暖通空調（HVAC）和工業驅動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發電、配電、轉換和消耗）所能達到的能效將決定整個電力基礎設施的負擔增加程度。在每個功率級，能效低會導致產生熱量，這是主要的副產物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產生的廢熱具有相當大的影響。在轉換級，電力電子器件產生的熱量主要歸咎于導通損耗和開關損耗。更高能效的半導體意味著更少的熱量，因此也減少了能源浪費。低能效的半導體產生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
關鍵字： 202105 MOSFET

新一代AC/DC ZVS高功率密度USB PD 解決方案助力移動設備快速充電

針對智能手機和平板電腦等移動設備的快速充電是消費電子行業中增長最快和規模最大的市場之一，相應電源適配器每年全球使用量達數億件以上。其中涉及一系列新興技術和挑戰，包括USB PowerDelivery（PD）。本文將探討一些目前與快充相關的AC/DC功率轉換關鍵技術，重點討論對USB PD的支持、技術的發展，以及Dialog在這方面提供的最新產品和解決方案。
關鍵字： MOSFET 202105

ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業設備，開發出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節能意識的提高，在交流400V級工業設備領域，可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面，在工業設備中，除了主電源電路之外，還內置有為各種控制系統提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
關鍵字： MOSFET IGBT

東芝為電動助力轉向打造電機驅動系統核心

隨著汽車電氣和電子系統設計日趨復雜化，汽車電子系統的安全性逐漸成為消費者與廠商衡量新一代汽車產品優劣的重要指標。如何量化評估汽車功能是否安全，如何減少、規避駕駛過程中遇到的各類風險，如何做到汽車功能安全等問題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車功能安全國際標準應運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統故障而導致的不合理風險。由于電子控制器失效的可預見性非常低，為了保證即使出現部分電子器件故障，汽車系統也能在短期（故障容錯時間內）內安全運行，需要進行功能安全防護。
關鍵字： 202106 MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]