- 同步整流降壓式DC/DC轉換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結構?？刂破魃a商會在數據資料中給出參數齊全的應用電路，但用戶的使用條件經常與典型應用電路不同，要根據實際情況改變功率MOSFET的參數。
對功率MOSFET的要求
同步整流降壓式DC/DC轉換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅動MOSFET的控制器及外接開關管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿足DC/DC轉換器在輸入電壓、開關頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。
圖
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MOSFET 電源技術 模擬技術
- 飛兆半導體的 MicroFET™系列產品可在廣泛的低電壓應用中 節省空間并延長電池壽命
擴展的MicroFET產品系列提供了在其電壓范圍內 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產品，提供業界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
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Fairchild MicroFET™ MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡單的線性調節器，在起動階段為脈沖寬度調變(PWM)集成電路供應所需電壓，然后在轉換器完全激活后關掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎的解決方案有助改善系統效率和減省起動時間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線
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MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
- 以前曾經有一個設計實例介紹了用動圈模擬表頭測量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻 1）。
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MOSFET 測量 電流 表頭 改進
- 為PoE應用節省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET MOSFET集成在一個功率MLP封裝內，可滿足以太網供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應用的需求。這款新器件符合針對網絡和通信基礎設施系統的IEEE802.3af標準，例如以太網交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節省了80%的空間，或相當于典型48端口電路板中3
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- 一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態響應要求。
與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術在發展方向上正經歷著一場重大的變革。如今，并在可以預見的未來，開關速度正在逐步成為負載點（POL）電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關速度是滿足其供電要求的關鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
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MOSFET 模擬IC 電源
- 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數和外圍電路聯系起來，得出較大的Q值和適當的Ls/Lx有利于并聯均流。大量的仿真和小功率實驗結果均表明該方法的正確性。
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研究 問題 MOSFET 功率
- 經典的 LM317型可調輸出線性穩壓器具有相當大的電流承受能力。此外，LM317還具有限流和過熱保護功能。
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MOSFET 能力 保護 穩壓器 提高
- 設計人員都用直流電子負載來測試電源，如太陽能陣列或電池，但商用直流電子負載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區內使用，就可制作出自己的直流電子負載（圖 1）。
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作用 功率 MOSFET 核心 負載 穩壓 電子 直流
- 2005年4月21日，瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無線電設備及類似設備中的傳輸功率放大，通過使用新工藝和新封裝，實現了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
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瑞薩 MOSFET Renesas
- 摘 要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應用，其脈沖波形隨設計線路的不同而產生不同的結果，從而解決了隨機燒毀功率管的技術問題。關鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中，有時隨機出現燒毀大功率管的現象，本文對這一現象給出了解決方案。圖1 SG35
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MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源 模擬IC 電源
- 2004年6月7日，瑞薩發布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產品相比，HAT1125H的導通電阻大約減小了25%，是業界導通電阻最低的工業標準SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產品。由于其損耗很低，將有助于設計小型、節省空間的系統。
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瑞薩 MOSFET Renesas
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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