mosfet 文章最新資訊

采用具有驅動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET

引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實現非常快的開關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。功率元器件傳統封裝形式帶來的開關性能限制TO-247N（圖1）是應用最廣泛的功率晶體管傳統封裝形式之一。如圖1左側所示，
關鍵字： MOSFET

Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車設計師

日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環第二，耐久性第三的優異成績獲得本屆比
關鍵字： MOSFET

Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車設計師

日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環第二，耐久性第三的優異成績獲得本屆比
關鍵字： MOSFET

GD32創新反電動勢采樣方案，助力高效控制BLDC電機

0? ?引言電機（Electric machinery，俗稱“馬達”）是指依據電磁感應定律實現電能轉換或傳遞的一種電磁裝置，用來產生驅動轉矩作為電器或各種機械的動力源。目前通常使用微控制器（MCU）對電機的啟停及轉速進行控制。本文介紹了基于兆易創新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一種創新型高精度反電動勢電壓采樣方案，廣泛應用于工業控制、智能制造、消費電子、家用電器、交通運輸等領域實現高效電機控制。圖1 有刷直流電機1? ?電機控制概況按照工作電源的不
關鍵字： MOSFET BLDC

哪些應用和技術會成為2021的熱點

全球都在共同積極應對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個充滿挑戰的新環境，疫情加速了許多本來就在進行的趨勢，所有趨勢都潛藏著一個一致的主題，那就是彈性。互聯網的應用比以前有了更大的發展和進步。有很多人在網上訂購生活必需品送貨上門，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂幾乎超出了預期，被迫學習和適應相關的工具。幸運的是，通信和信息網絡的基礎設施已做出了令人難以置信的反應，在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態。網絡使用量的增長刺激了對這一關鍵基礎設施的投資力度，5G基礎設施加速部署，云計算數據中心
關鍵字： MOSFET Wi-Fi 6 202101

ROHM開發出實現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業設備以及空調等消費電子產品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產品作為ROHM擁有豐碩市場業績的Pch MOSFET產品，采用了第五代新微米工藝，實現了業界超低的單位面積導通電阻*3。－40
關鍵字： MOSFET

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經十億個周期測試的可靠重復雪崩性能

半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產品組合，重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。在汽車動力總成中的電磁閥和執行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
關鍵字： Nexperia AEC-Q101 MOSFET

簡化汽車車身電機控制器設計，快速實現輕量化

無論是調整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開行李箱，車身電子設備系統都可使用電機來提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）控制這些應用的電動裝置。但將MOSFET用作開關給電子控制模塊設計（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應、斷電制動以及診斷與保護）帶來了新的技術性挑戰。德州儀器開發的集成電路（IC）電機驅動器產品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設計人員應對這些挑戰，同時減小解決方案尺寸并縮短開發時間。本文中，我們將討論可幫助應對這些設計挑戰、集成到電機驅動集成電路中
關鍵字： MOSFET

照明的光明未來

要有（電）燈！但誰負責點亮呢？有許多人聲稱自己是電燈的發明者，在19世紀中葉的許多發展為世界變得更亮一點鋪平了道路。我們可能無法查明確切的“發現”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛迪生（Thomas Edison）申請了第一個商業上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專利[[1]]。除了細絲材料的微小改進，包括20世紀初期從碳到鎢的轉變，我們從那時起直到最近基本上一直在使用愛迪生的古老技術。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質量的照明。但在過去的一二十年中，照明技術發生了根本性的變化，在大多數住宅和商業設施中
關鍵字： MOSFET

三安集成完成碳化硅MOSFET量產平臺打造，貫通碳化硅器件產品線

中國化合物半導體全產業鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V 80mΩ產品已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
關鍵字：三安集成碳化硅 MOSFET

占空比的上限

開關穩壓器使用占空比來實現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時間(TON)與整個周期時長（關斷時間(TOFF)加上導通時間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡單關系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說明中，這些并不是決定性因素。開關穩壓器的占空比由各自的開關穩壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個模式下，電感電流在時間段T
關鍵字： CCM TON MOSFET

iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優勢

大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是，電力電子行業中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時，近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮GaN晶體管的優勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現更高的電流操作，從
關鍵字： MOSFET

應用筆記140 - 第3/3部分：開關電源組件的設計考慮因素

開關頻率優化一般來講，開關頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進負載瞬態響應。但是，開關頻率更高也意味著與交流相關的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。對于<10A的負載電流，開關頻率可高達幾MHz。每個設計的最優頻率都是通過仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數實現的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中，電感峰峰值
關鍵字： MOSFET DCE ESR MLCC

宜普電源轉換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產品,為業界樹立全新性能基準

增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統、DC/DC轉換器（硬開關和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
關鍵字： MOSFET QRR QG

應用筆記140 第2/3部分 - 開關模式電源基礎知識

為何使用開關模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開關模式而非線性模式下運行。這意味著，當晶體管導通并傳導電流時，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關斷并阻止高電壓時，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導體晶體管就像一個理想的開關。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線性穩壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關模式同步降壓電源通常可實現90%以上的效率，而線性穩壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
關鍵字： MOSFET

共1290條 23/86 |‹ « 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 » ›|

mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]