mosfet 文章最新資訊

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性

開篇前言關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
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功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

高端變頻空調在實際應用中出現大量外機不工作，經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發現IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
關鍵字：主動式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET

羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業設備和汽車領域的、以世界先進的SiC(碳化硅)元器件為核心的產品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術與應用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的SiC為核心的功率元器件技術,以及充分發揮其性能的控制IC和
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了解熱阻在系統層級的影響

在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術來設計保護措施，以避免發生過熱關機等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度，透過傳導來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
關鍵字： MOSFET

BUCK轉換器的PCB布局設計

討論了BUCK轉換器的開通回路、關斷回路的電流特性，具有高電流變化率di/dt的輸入回路，以及具有高的電壓變化率dV/dt的開關節點是其關鍵回路和關鍵節點，使用盡可能小的環路，短粗布線，優先對其進行PCB布局。給出了多層板的信號分配原則，也給出了分立和集成的BUCK轉換器的PCB布局技巧和一些實例，分析了它們的優缺點。
關鍵字： PCB布局磁場干擾電場干擾 MOSFET 202108

碳化硅邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰

1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導體行業中所扮演的角色，ST的碳化硅研發是如何取得成功的，以及未來發展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統、服務器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導體行業如何克服技術
關鍵字： MOSFET

Maxim Integrated發布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數量減半

TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅動設計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅動器為每相集成了低邊檢流放大器，構成完備的電機驅動方案；與同類產品相比元件數量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
關鍵字： MOSFET

電動汽車用SiC和傳統硅功率元器件都在經歷技術變革

近年來，在全球“創建無碳社會”和“碳中和”等減少環境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統的效率，對各種車載設備的逆變器和轉換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經歷技術變革。在OBC（車載充電機）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產品群進行提案。羅姆半導體（上海）有限公司技術中心副總經理周勁1? ?Si
關鍵字： MOSFET 202108

功率因素校正電路旁路二極管的作用

本文總結了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統重起動，導致功率MOSFET驅動電壓降低、其進入線性區而發生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發生損壞的波形和失效形態，同時給出了避免發生這種損壞的幾個措施。
關鍵字：功率因素校正旁路二極管線性區欠壓保護 202103 MOSFET

簡易直流電子負載的設計與實現*

隨著電力電子技術的飛速發展，傳統負載測試電源性能的方法在高科技產品的生產中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統負載測試方法存在功耗較大、效率與調節精度低、體積大等問題，設計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現了在一定電壓與電流范圍內恒壓恒流任意可調，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應的設定值
關鍵字： STC12C5A60S2單片機恒流恒壓 IRF3205 負載調整率 202105 MOSFET

適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本。基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經過優化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數，有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET
關鍵字： Nexperia MOSFET

瑞能半導體舉行CEO媒體溝通會

近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規模的成長，并取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品，明確了在碳化硅器件行業內的領先地位；在分享后續發展策略的同時，強調了瑞能半導體未來
關鍵字： MOSFET

基本半導體——第三代半導體前景無限

相比于數字半導體，我國在模擬與功率半導體的差距要更大一些，因為功率器件不僅僅是產品設計的問題，還涉及到材料等多個技術環節的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領域之一。作為國內第三代半導體領軍企業，基本半導體技術營銷副總監劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發與產業化，核心產品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規級全碳化硅功率模塊等，基本半導體碳化硅功率器件產品性能處于國內領先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應用領域，市場潛力大，也是基本半導體要重點發力的市場。站在劉誠的角
關鍵字：基本半導體 MOSFET 中國芯

變頻電源開關芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

隨著科技的發展，電器設備使用越來越廣泛，功能越來越強大，體積也越來越小，對電源模塊的要求不斷增加。開關電源具有效率高、成本低及體積小的特點，在電氣設備中獲得了廣泛的應用。經分析，開關電源電路多個器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差，導致開關芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能，使產品各項性能有效提高，滿足電路設計需求，減少售后失效。
關鍵字：開關電源高壓瓷片電容芯片耐壓提升可靠性 202105 MOSFET

特定工作條件下的開關電源模塊失效分析

針對在某特定工作條件下發生的短路失效問題，進行了開關電源模塊及其外圍電路的工作原理分析，通過建立故障確定了失效原因，運用原理分析與仿真分析的方法找到了開關電源模塊的損傷原因與機理，并給出了對應的改進措施。
關鍵字：開關電源模塊電源振蕩失效分析 MOSFET 202105

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]