ROHM開發出實現超低導通電阻的新一代雙極MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET^*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch^*2）”，非常適用于FA等工業設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。

近年來，為了支持工業設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。

在這種背景下，ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET^*2之后，此次又開發出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。通過這種組合，使ROHM在支持24V輸入的±40V和±60V耐壓級別擁有了業界先進的Nch+Pch雙極MOSFET產品。此外，為了滿足更廣泛的需求，ROHM還開發出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產品陣容已達12款。

本系列產品采用ROHM新工藝，實現了業界超低的導通電阻，±40V耐壓產品的導通電阻比普通產品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進一步降低各種設備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實現設備的小型化，還有助于減少器件選型（Nch和Pch的組合）的時間。

本系列產品已于2021年3月開始暫以月產100萬個的規模投入量產（樣品價格 250日元/個，不含稅）。另外，新產品也已開始電商銷售，可通過電商平臺Ameya360購買。

今后，ROHM還會面向要求更高耐壓的工業設備開發100V和150V耐壓產品，以擴大本系列產品的陣容，通過降低各種應用的功耗和實現其小型化來助力解決環境保護等社會問題。

＜新產品特點＞

1．實現業界超低導通電阻

在ROHM此次開發的業界先進的雙極MOSFET 中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產品與普通產品相比，Pch部分的導通電阻降低多達61％，Nch部分的導通電阻也降低達39％，有助于降低各種設備的功耗。

2. 具備只有雙極MOSFET才有的特點，有助于實現設備的小型化和縮短設計周期

通過在一個封裝中內置兩枚器件，有助于設備的小型化和減少器件選型的時間。在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新產品（TSMT8），安裝面積可減少75%。

＜與預驅動器IC組合，可提供更出色的電機驅動解決方案＞

通過將本產品與已具有豐碩實際應用業績的ROHM單相和三相無刷電機用預驅動器IC相結合，可以進一步考慮電機的小型化、低功耗和靜音驅動。通過為外圍電路設計提供雙極MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支持，為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅動解決方案。

組合示例

■   QH8MC5（±60V耐壓Nch+Pch雙極MOSFET）和BD63001AMUV（三相無刷電機預驅動器IC）

■   SH8KB6（+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET）和BM62300MUV（三相無刷電機預驅動器IC）

■   SH8KB6（+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET）和BD63002AMUV（三相無刷電機預驅動器IC）等

＜產品陣容＞

Nch+Pch雙極MOSFET

Nch+Nch雙極MOSFET

＜應用示例＞

■   FA設備、機器人等工業設備和基站用的風扇電機

■   大型消費電子設備用的風扇電機

＜術語解說＞

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫）

金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構。 用作開關元件。

*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET。

可用比低于輸入電壓低的電壓驅動，因此電路結構較為簡單。

Nch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。

相比Pch MOSFET，漏源間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。

*3) 導通電阻

使MOSFET啟動（ON）時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，則運行時的損耗（電力損耗）越少。