- 2013 年 9 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,擴充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 導通電阻
- 使用功率MOSFET的汽車應用要求柵極驅動器具備高峰值驅動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅動器(紐約證券交易所代碼: FCS)為電源和其他高效MOSFET開關應用帶來了靈活性,可提供大量功能和性能組合選擇以創建緊湊、高效和可靠的設計。
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飛兆 驅動器 MOSFET
- 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布,該公司已經為智能手機和平板電腦等移動設備的高電流充電電路的開關推出了超緊湊型MOSFET,包括兩種電池。
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東芝 MOSFET 智能手機 移動設備
- 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了該系列的首款產品“TK9J90E”,并計劃于2013年8月投入量產。
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東芝 MOSFET TK9J90E
- 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設備鋰離子電池和電源管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造,實現了低導通電阻,可減少設備的傳導損失。
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東芝 MOSFET 鋰離子電池
- 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布為其用于基站和服務器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構,并實現了頂尖[1]低導通電阻和高速開關性能。即日開始批量生產。
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東芝 MOSFET
- 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布為專用于基站和服務器的通用DC-DC轉換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產品采用了最新的第八代低壓溝槽結構,實現了最高級別的低導通電阻和高速轉換。該系列產品計劃于6月底投入量產。
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東芝 MOSFET 電阻
- 摘要:由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價格又便宜,正在被越來越多地應用到微電子元器件當中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術。
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銅絲鍵合 MOSFET 金鍵合 失效分析 金屬層 201308
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