- 在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
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MOSFET 同步降壓 電阻比
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼：NXPI)近日發布了LFPAK56D產品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩定性控制等汽車應用而設計。恩智浦LFPAK56D系列產品完全符合AEC-Q101標準，具有一流的性能和可靠性;同時，與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比，節省了77%的占位面積。
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恩智浦 LFPAK56D MOSFET
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術型企業滿足日益嚴格的生態設計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。
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意法 晶體管 MOSFET LED
- 雖然工程師都熟諳MOSFET數據手冊上的品質因數，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業知識對各個具體應用的不同規格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
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MOSFET
- 本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通
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MOSFET 熱插拔 方法
- 本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數據表中的常用主要參數,以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計。 數據表中的參數分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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MOSFET 數據表 分析
- 提升功率密度和輕載效率是服務器、電信和AC-DC電源設計人員的主要考慮問題。此外，這些開關電源(SMPS)設計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時提高效率和降低功耗。
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飛兆 MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
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IR MOSFET
- 汽車上許多組建的多元應用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動馬達，不僅提供了各式各樣的高負載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設計人員為了增加車上電子
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MOSFET 詳細介紹 如何運用 安全系統
- 我們先來看看MOS關模型：
Cgs：由源極和溝道區域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊，第二是
耗盡區電容
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MOSFET 驅動器 功耗計算
- 標簽：電源 諧振轉換器 高壓電源 直流電源 MOSFET現代電子設備功能越來越多，設備功能的高功耗對環境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓撲具有較高效率，很多大功率消費電子產品和計算機
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同步 MOSFET 控制 方案 檢測 電壓 電源 轉換 效率 定時
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展到蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態高壓現象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET 功率器件 汽車電子
- 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發展
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MOSFET 雙峰效 方法
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