- 安森美半導體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件,用于智能手機及平板電腦應用,作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
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安森美 MOSFET 鋰離子電池
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導通電阻擴展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級擴大為6A~105A。
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Vishay E系列 MOSFET
- 什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來實現開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信...
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功率 MOSFET 基礎知識
- 一、引言電力電子設備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數和低成本的方向發展,功率器件則要求高速、...
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IGBT MOSFET
- 日前,集設計,研發一體的著名功率半導體及芯片供應商萬國半導體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產品,為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。
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AOS AON6250 MOSFET
- 高分辨率、緊湊有源整流橋應用(如網絡攝像機)中的過熱可能導致圖像質量問題。 同樣,熱致噪聲可能影響系統的圖像傳感器,也會降低相機的圖片質量。 調節熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數量,占用電路板空間,讓這些設計變得更復雜。
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飛兆 FDMQ86530L MOSFET
- 我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區別。工作性質:1.三極管用電流控制,MOS管...
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MOSFET 三極管
- 本應用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅動器的參考設計。基于單芯片MAX16821構建大電流LED驅動器,能夠為...
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MOSFET 降壓轉換器 RGB LED
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP,將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。
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Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP
- 針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器,引言對電能轉換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中,開關型功率轉換器通常為非隔離式,功率水平相當低(200 W),并且常常會把電
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IGBT MOSFET 柵極驅動器
- 在綠色能源和節能計劃的帶動下,加之出口回升,預計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經濟體的形勢好轉。功率MOSFET廣泛用于多種電子產品與系統之中。
據IHS公司的中國研究專題報告,今年中國功率MOSFET產業的營業收入預計為22.5億美元,比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。
明年增長將更加強勁,預計營業收入上升11%,隨后每年將保持穩定增長,至少保持到2017年。到2017年,預
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消費電子 MOSFET
- 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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MOSFET 功率器件
- 摘要:在分析了功率MOSFET其結構特性的基礎上,討論驅動電路的設計,從而優化MOSFET的驅動性能,提高設計的可靠性。
關鍵詞:MOSFET;急聚點;損耗
功率MOSFET具有開關速度快,導通電阻小等優點,因此在開關
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MOSFET 急聚點 損耗
- L為PCB走線電感,根據他人經驗其值為直走線1nH/mm,考慮其他走線因素,取L=Length+10(nH),其中Length單位取mm。Rg...
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MOSFET 驅動電阻
- 在電源設計小貼士#42中,我們討論了MOSFET柵極驅動電路中使用的發射器跟蹤器,并且了解到利用小型SOT-23...
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MOSFET 驅動器
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