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        Vishay Siliconix 擴展ThunderFET?的電壓范圍

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP,將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。
        • 關鍵字: Vishay  DC/DC  MOSFET  SiR872ADP  

        針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器

        • 針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器,引言對電能轉換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中,開關型功率轉換器通常為非隔離式,功率水平相當低(200 W),并且常常會把電
        • 關鍵字: IGBT  MOSFET  柵極驅動器  

        繼2012年表現黯淡之后 中國功率MOSFET市場將恢復生機

        •   在綠色能源和節能計劃的帶動下,加之出口回升,預計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經濟體的形勢好轉。功率MOSFET廣泛用于多種電子產品與系統之中。   據IHS公司的中國研究專題報告,今年中國功率MOSFET產業的營業收入預計為22.5億美元,比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。   明年增長將更加強勁,預計營業收入上升11%,隨后每年將保持穩定增長,至少保持到2017年。到2017年,預
        • 關鍵字: 消費電子  MOSFET  

        常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹

        • 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
        • 關鍵字: MOSFET  功率器件  

        基于MOSFET設計優化的功率驅動電路

        • 摘要:在分析了功率MOSFET其結構特性的基礎上,討論驅動電路的設計,從而優化MOSFET的驅動性能,提高設計的可靠性。
          關鍵詞:MOSFET;急聚點;損耗

          功率MOSFET具有開關速度快,導通電阻小等優點,因此在開關
        • 關鍵字: MOSFET  急聚點  損耗  

        關于MOSFET驅動電阻的選擇

        • L為PCB走線電感,根據他人經驗其值為直走線1nH/mm,考慮其他走線因素,取L=Length+10(nH),其中Length單位取mm。Rg...
        • 關鍵字: MOSFET  驅動電阻  

        分立器件——一款可替代集成MOSFET驅動器的卓越解決方案

        • 在電源設計小貼士#42中,我們討論了MOSFET柵極驅動電路中使用的發射器跟蹤器,并且了解到利用小型SOT-23...
        • 關鍵字: MOSFET  驅動器  

        得益于晶圓減薄工藝與創新的封裝,功率MOSFET在不斷進步

        • 要點1.導通電阻與柵極電荷規格的改善正在變得更難以實現和更昂貴。2.作為功率開關器件的選擇,硅遠未到...
        • 關鍵字: 晶圓減薄  MOSFET  

        Vishay發布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線,功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性,比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能,定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性,減輕對用戶使用經驗的要求。
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  DrMOS  

        HID燈鎮流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

        • 摘要: 先進的單元結構和壽命控制技術已同時增強了功率MOSFET的導通電阻和反向恢復性能。 本文介紹一種新開發的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性,另外還介紹了其性能和效率。
        • 關鍵字: MOSFET  鎮流器  FRFET  201302  

        IR推出AUIR3200S MOSFET驅動IC

        • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅動IC。新產品具有全面保護和診斷功能,為繼電器更換和電池開關應用提供更高的可靠性。
        • 關鍵字: IR  驅動IC  AUIR3200S  MOSFET  

        用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源

        • TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產品。與TrenchFET III相比,TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG,QGD)數值都有所減小,降低了同步DC/DC轉換器中的損耗。過去,降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設計,同時實現了優化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
        • 關鍵字: TrenchFET  MOSFET  DC/DC  

        MOSFET結構及工作原理

        • MOSFET結構及工作原理,金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管
        • 關鍵字: mosfet  場效應管    

        通過可定制單芯片系統提高光伏逆變器的效率(上)

        • PV逆變器系統通常有兩個主要的組成部分:用于實施系統管理任務和控制算法的控制器,以及AC至DC轉換電路。控制器的特性取決于PV系統的類型和結構以及功能需求。以下章節將更詳細地分析每個組成部分以及它們如何影響整體系統效率。
        • 關鍵字: PV系統  逆變器  MOSFET  光伏逆變器  

        采用具有最新超級結MOSFET的高功率因數反激式轉換器的LED照明解決方案

        • 隨著LED用于室內照明解決方案日漸盛行,成本結構已成為關鍵因素。簡單的反激式轉換器是實現低成本LED照明的最佳解決方案之一。然而,LED照明的開關電源仍要求高功率因數及高系統效率。為應對這一挑戰,采用最新的功率器件至關重要。本文將介紹用作LED照明解決方案的全新集成控制器和高性能高壓超級結MOSFET。
        • 關鍵字: LED  MOSFET  DCM  
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        mosfet-driver介紹

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