首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> mos—fet

        mos—fet 文章 最新資訊

        手把手教你讀懂FET選取合適器件

        • 現在;一臺臺電源,幾乎都能發現FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當個開關...
        • 關鍵字: FET  

        MOSFET分析:選擇一款節能、高效的MOSFET

        • 前不久,能源之星發布了2.0版外部電源能效規范。新規范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。...
        • 關鍵字: mos  

        MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開關損耗

        • 本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知...
        • 關鍵字: mos/開關損耗  

        CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管

        •   CISSOID,在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.   
        • 關鍵字: CISSOID  P-FET  

        開關電源設計之MOS管反峰及RCD吸收回路

        • 對于一位開關電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
        • 關鍵字: 吸收  回路  RCD  管反峰  設計  MOS  開關電源  

        如何對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖

        •   圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
        • 關鍵字: 進行  緩沖  電壓  關斷  轉換器  FET  如何  

        MOS-FET開關電路

        • MOS-FET雖然與JFET結構不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
        • 關鍵字: MOS-FET  開關電路    

        J-FET開關電路工作原理

        • 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時,VGS=0,J-FET導通,傳輸信號至VO;當VC比V1足夠負,VD導通而J-FET截止,VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
        • 關鍵字: J-FET  開關電路  工作原理    

        采用C-MOS與非門的發光二極管脈沖驅動電路

        • 電路的功能如使用發光二極管直流發光,正向偏流只能在數10MA以下,允以獲得大的發光輸出,若采用縮小導通時的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發光電路很容易分辯外來光。電
        • 關鍵字: 驅動  電路  脈沖  發光二極管  C-MOS  與非門  采用  

        與萬用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器

        • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級,但一個等級內仍有差別,如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時,
        • 關鍵字: VOO  檢驗  VP  FET  結合  使用  萬用表  

        采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路

        • 電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代,因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當,容易停振或
        • 關鍵字: C-MOS  轉換器  石英晶體  振蕩電路    

        使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路

        • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩態多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器,這樣可以減少IC的數量,事先了
        • 關鍵字: FET  輸入  OP放大器  模擬定時電路    

        可設定10~100秒的長時間C-MOS定時電路

        • 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路,R用高阻值,便可加長CR時間常數,但是,由于內部比較器的輸入偏流較大,難以充電到門限電壓,比較器無法驅動,為此,本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片,選用高阻
        • 關鍵字: 電路  定時  C-MOS  時間  設定  

        可用于VCA或幅度調制的FET乘法運算電路

        • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運算與幅度調制(AM)等效,可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
        • 關鍵字: VCA  FET  幅度調制  乘法運算電路    

        使用結型FET的簡易電壓控制放大器

        • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環路組成電路時,通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發生變
        • 關鍵字: FET  結型  電壓控制  放大器    
        共204條 12/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »

        mos—fet介紹

        您好,目前還沒有人創建詞條mos—fet!
        歡迎您創建該詞條,闡述對mos—fet的理解,并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。    創建詞條

        熱門主題

        樹莓派    linux   
        關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 乌兰浩特市| 临夏县| 金阳县| 兴城市| 沙河市| 琼结县| 新泰市| 望江县| 乐昌市| 蓝山县| 望谟县| 大同市| 余江县| 闸北区| 新沂市| 双鸭山市| 祁阳县| 霞浦县| 乌海市| 招远市| 奉节县| 嘉祥县| 蚌埠市| 正镶白旗| 抚宁县| 桂平市| 内乡县| 出国| 象州县| 屏东县| 石屏县| 南京市| 博湖县| 南漳县| 合作市| 贡山| 高淳县| 阳朔县| 广南县| 新平| 石泉县|