mos—fet 文章 最新資訊
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結(jié)果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非常可靠，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應(yīng)力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
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TI推出業(yè)界首款100V高壓側(cè)FET驅(qū)動器可驅(qū)動高電壓電池
- 近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅(qū)動能量存儲系統(tǒng)，以及電機驅(qū)動型應(yīng)用中常用電池里的高壓側(cè)N溝道充放電FET，包括無人機、電動工具、電動自行車等等。如需了解更多詳情，敬請訪問：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。 電感性
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深度分析MOS場效應(yīng)管在消費類電子中的電路設(shè)計
- 當(dāng)我們還是學(xué)生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計算、動態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實戰(zhàn)的角度進行MOS場效應(yīng)管的分析。 首先我們來看下經(jīng)常使用的增強型mos場效應(yīng)管：N溝道和P溝道m(xù)os場效應(yīng)管。 在消費類電子設(shè)計中由于對功耗要求比較嚴(yán)格，通常使用N溝道和P溝道MOS
- 關(guān)鍵字： MOS 場效應(yīng)管
到底什么是fmax講解
- 簡介： 今天一個剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù)，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。 這兩個頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當(dāng)然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實離得不遠，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
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一種簡單的防短路保護方法
- 簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。 前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負(fù)載供電，滿負(fù)載時基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。 雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電
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低待機功耗電源方案選擇
- 歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。 2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計管理委員會批準(zhǔn)的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。 圖1 Eup圖標(biāo) 我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 1、產(chǎn)品在關(guān)機或待機
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詳解LED PWM調(diào)光技術(shù)及設(shè)計注意點
- 無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動，連接每一個驅(qū)動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出。現(xiàn)今僅有很少數(shù)的應(yīng)用只需要開和關(guān)的簡單功能，絕大多數(shù)都需要從0～100%去微調(diào)亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅(qū)動電流從0到目標(biāo)電流值之間來回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來設(shè)定循環(huán)和工作周期可能是實現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡單的方法，原因是相同的技術(shù)可以用來控制大部分的開關(guān)轉(zhuǎn)換器。 PWM調(diào)光能調(diào)配準(zhǔn)確色光
- 關(guān)鍵字： PWM FET
怎樣用最小的代價降低MOS的失效率？
- 【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。 【問題分析】 上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會把驅(qū)動的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
- 關(guān)鍵字： MOS SCR
場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
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高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計
- 混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標(biāo)。 在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設(shè)計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應(yīng)用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應(yīng)用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。 在CMOS電路設(shè)
- 關(guān)鍵字： MOS 諧波混頻器
你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧
- MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。 在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。 為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS
LED驅(qū)動設(shè)計小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點
- 1、芯片發(fā)熱 這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的
- 關(guān)鍵字： LED MOS 變壓器
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