- 如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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mos
- 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關電源設備中，MOS管的特性、寄生參數和散熱條件都會對MOS管的工作性能產生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數對電源設計工程師至關重要。
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MOS 電源
- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
- 作為工作于開關狀態的能量轉換裝置，開關電源的電壓、電流變化率很高，產生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數字電路干擾源的位置較為清楚；開關頻率不高（從幾十千赫和數兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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EMI 開關電源 MOS
- 如同摩爾定律所述，數十年來，芯片的密度和速度正呈指數級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結束，只是不知道當這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。
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IC設計 天線 天線效應 充電損害 MOS
- 在開關電源電路設計當中，電流的轉換分為很多種。其中直流轉換是較常見的一種設計。通常稱為DC-DC轉換，是指將一個電壓值轉化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉換設計在開關電源當中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設計，本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區別。
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DC-DC MOS 同步 開關電源 非同步
- 與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構成CR的連接方式。此時，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系，就需要偏置電路來提供柵極電壓。 與晶體管放大電路的接地方式相同，結型FET放大電路也有多種接地方式。 最一般的源極接地電路和自偏置電路 n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。 FET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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FET 放大電路
- 該電路采用衰減場效應晶體管(FET)分流信號到地面。這個R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統)。使用FET...
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FET 壓控衰減器
- 首先介紹一下這樣做的優點：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿足時序的要求，這樣單片機的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
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單片機 FET 穿通電流 工作頻率
- 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質 - 半導體
硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質其產生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質來改變自由電子的數量，并可控制電流動的物質稱為半導體。
根據電流流動的構造，可將半導體分為N型和P型兩類。
半導體的電流流通原理
(1) N型半導體
圖1是在硅晶
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嵌入式系統 FET
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。
MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
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MOS MOS驅動電路
- 半導體行業的重組還在繼續。恩智浦半導體(NXP Semiconductors)將把經營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導體等產品的標準產品業務部門出售給中國的投資公司(英文發布資料)。
標準產品業務部門2015年財年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數量(4.5萬)的2.5成。
出售金額約為27.5億美元，購買方是北京建廣資產管理有限公司(簡稱“建廣資產”)與Wise Road Capital兩家
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恩智浦 MOS
- MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。 靜電放電形成
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MOS 擊穿
- 前段時間開發了一個產品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調整工作電流。我們知道MOS管導通時內阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。 雖然MOS管導通內阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負載短路，同樣會被燒毀。短路都是非正常工
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防短路 MOS
- 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管. 1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿 由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應出來的
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場效應晶體管 MOS
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