- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協議，收購FET的場發射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發明，以及相關設備等資產。
FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統CRT相
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友達 FED FET
- 臺灣友達科技近日宣布，他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協議，友達將出資收購FET公司的部分資產，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，FED技術實施方案，以及FED面板生產用設備等。
FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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友達 FED FET
- Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
一直
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GaAs 外延襯底 FET HBT
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結合，可實現更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類競爭產品相比，該器件在將外部輸出電容需求數量降至 32% 的同時，還可實現快速瞬態響應。該轉換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實現整個負載范圍內的高
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TI FET 轉換器 TPS51315
- 2008年，受到全球半導體市場衰退的影響，中國集成電路產業由前幾年的較快增長轉變為下滑。盡管中國以內需市場為主的集成電路設計業仍實現了一定增長，但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業不斷創新，知識產權問題將變得更加重要。作為集成電路行業特殊的知識產權保護形式，集成電路布圖設計登記應得到更多的關注。
最近，中國半導體行業協會知識產權工作部和上海硅知識產權交易中心聯合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告，本期刊登部分節選，供業界研究參考。
本報告數據
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NEC MOS 集成電路布圖設計
- 2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出一款業界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產品工作頻率高達1GHz，設計用于高性能的便攜式醫療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領先的醫療、測試和測量設備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫療設備。與ADA4
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ADI 運算放大器 FET ADA4817
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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FET TI IC－bq2407x
- 美國麻省理工學院一個為第三世界家庭開發廉價計算機的項目組將以任天堂娛樂系統為基礎而不是以蘋果II電腦為基礎進行設計。這兩種系統都采用相同的處理器芯片。
一些Mac計算機網站指出，《波士頓先驅報》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學院國際設計峰會部分內容“教育家庭計算計劃”。這個計劃的目標是開發成本只有12美元的初級計算機。
雖然設計師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學校提供類似于伴隨他長大蘋果II計算機，但是，他和他的團隊研制的這種計算機
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PC 廉價 處理器 MOS 6502
- TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉換頻率為同步頻率并可調至 1.6MHz，以減少外部組件數量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態良好指示、啟動、可調慢啟動、電流限制、熱關斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯網和通信基礎設施、分布式電源系統以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩壓。
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TI 轉換器 DC/DC FET
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很多大型數據系統中都會采用"背板+插件板"結構。這樣，在更換維護插件板時，通常都希望在不影響系統工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時，一般會產生很大的啟動電流和電壓波動，這些現象將影響設備的正常工作，甚至導致整個系統的損害。當一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時，插件板上附加電容的充放電會給工作背板提供一個低阻抗，此時背板到插件板的高涌入電流可能會燒毀連接器和電路元件，或者暫時使背板陷落以導致系統重啟。這種現象就是熱插拔現象。
所謂熱插拔(Hot
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電路 熱插拔 MOS 電源
- 當輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時，線性電池充電器的功耗相當大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。 bq241xx系列開關充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節、雙或三節電池組供電的系統。該系列開關充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優異特性，并且
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FET 鋰離子開關充電器 電源
- 1 AB類功放驅動電路設計目標
在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅動負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經典放大器的最大效率的理論值與導通角的函數關系如圖1所示。
A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導通角為360
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模擬技術 電源技術 驅動電 放大器 MOS
- Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關穩壓器系列，支持廣泛的工作輸入電壓，并且可以處理高達 100V 的瞬態尖峰。 ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓；而 ISL8540 支持 9
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模擬技術 電源技術 Intersil FET 穩壓器 電源
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