- 隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統，為網絡設備供電，這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
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eGaN FET 硅功率器 轉換器
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階...
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同步降壓 FET 時序設計
- 引言：為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
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SJ-MOS VDMOS
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階段：低...
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電源設計 同步降壓 FET 時序
- X-FAB Silicon Foundries日前發表XT018，世界首創180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關的最靈活替代產品。
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TI TPS27081A FET
- 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
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FET 光電 電位器 光耦
- 在計算和消費電子產品中，效率已經有了顯著的提高，重點是AC/DC轉換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進。 AC/DC平均系統
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改善 能量 效率 開關 FET 優化 變換器 基于
- 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合，包括電池供電存儲器電...
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主電源 備用電源 FET-OR
- 以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
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介紹 改裝 MOS 功放 舞臺
- 英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應用而設計的電源開關器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應用的高能效電源調理和電源系統設計。
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英飛凌 MOS
- 以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
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電路圖 方法 改裝 MOS 功放 舞臺
- 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
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緩沖 方法 進行 電壓 FET 關斷 轉換器
- 電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當，容易停振或
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
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