mos—fet 文章 最新資訊
5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)
- 嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建模可以進(jìn)行系統(tǒng)級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇
- 離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對于這些應(yīng)用程序，最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開關(guān)，用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線電源來說，反激拓?fù)涫且粋€(gè)合理的解決方案，因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
- 關(guān)鍵字： BOM FET VDD
超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA
- 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價(jià)格需求，金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達(dá)20W，待機(jī)功耗＜75mW，具有極低的啟動電流和工作電流，可在實(shí)現(xiàn)低的損耗的同時(shí)保證可靠啟動。芯片滿載工作時(shí)，PWM開關(guān)頻率固定；降低負(fù)載后，進(jìn)入綠色模式，開關(guān)頻率降低；在空載和輕載時(shí)，
- 關(guān)鍵字： EMI PWM MOS
Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案
- 電動工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
- 關(guān)鍵字： FET BLDC
看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個(gè)論壇，在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
- 關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET
集成智能——第1部分：EMI管理
- 智能集成電機(jī)驅(qū)動器和無刷直流(BLDC)電機(jī)可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠。 圖1所示為集成電機(jī)驅(qū)動器結(jié)合驅(qū)動電機(jī)所需的一切要素，如場效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機(jī)。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機(jī)的布線距離過長，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點(diǎn)。 BLDC電機(jī)在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機(jī)壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗(yàn)以及更好的EMI性能。 圖1：智能集成BLDC電機(jī)驅(qū)動器 集成智能系列博
- 關(guān)鍵字： BLDC FET
揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗
- 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動性并且比以前更綠色，電池技術(shù)進(jìn)步推動了這一進(jìn)展，并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚(yáng)聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動汽車。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
- 關(guān)鍵字： 電池管理系統(tǒng) FET FET驅(qū)動器
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