- 據日本經濟新聞報導，東芝計劃今年關閉其國內2個NAND閃存工廠之一,而把存儲芯片封裝工作全部集中于另一工廠。
即將關閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福岡縣宮若市,該廠生產設備以及約400名員工將被轉移到東芝三重縣四日市的工廠。
為降低生產成本，東芝會將日本本部作為其研發及測試中心，并加速將量產工作移往海外。
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東芝 NAND
- 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術——該技術能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產品，以及全新高性能固態硬盤(SSD)的存儲容量，提供更高的成本效益。
NAND閃存可用于存儲消費電子產品中的數據和其它媒體內容，即使在電源關閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動了該技術持續發展并不斷出現新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術，也是全球最精密的半導體技術——這項技術成就將
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英特爾 25納米 NAND
- 蘋果(Apple)新產品iPad正式亮相，內建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強心針!根據外資和市調機構估計，2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時也為產業開創新應用領域。惟近期NAND Flash報價波動相當平靜，并未反映蘋果效應，下游廠指出，大陸在農歷年前又開始嚴查走私，因此當地需求銳減，預計年后才會發動補貨行情。
蘋果推出的平板計算機(Tablet PC)
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Apple SSD NAND
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以領先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業內領先六個月左右，也讓Intel提前搶先發布了34nm第二代X25-M固態硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產的閃存芯片有49%供給In
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Intel NAND 25nm
- 2010年1月農歷春節前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩，與2009年12月相較，呈現小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數減少影響，而呈現下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。
存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
- 韓聯社(Yonhap)引述首爾大學說法指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術，可大幅提升手機性能。
首爾大學表示，該團隊研發的NOR芯片，可克服過去的諸多缺點。負責人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據更大優勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。
一般的NOR芯片通常并不特別，不過首爾大學工程師所開發的芯片卻有重要特點。該團隊負責教授表示
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Samsung NAND NOR芯片
- 英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進展。
兩家公司有一個生產NAND閃存芯片的合資企業，這種芯片應用于手機，音樂播放器和其他驅動器上。
2009年，兩家公司表示，它們正開發提高閃存芯片性能的技術，在芯片的存儲單元上存儲三位數據。大多數NAND芯片單元儲存一位或兩位數據。
這樣，兩家公司就能以更高的存儲性能，更低的成本生產芯片。
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英特爾 NAND 閃存芯片
- NAND Flash市場未脫傳統淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產品新增產能又相當有限，因此2010年NAND Flash價格發展持續兩極化。
近期NAND Flash現貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
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Hynix NAND
- 全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創下3年來新高。
2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。
和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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Hynix DRAM NAND
- 業內人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預付了1億美元給韓國海力士半導體公司以購買其2010年需要的內存和NAND閃存.
此外,該業內人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應商數量并且保證能通過預付款的方式獲得足夠多的芯片供應,而威剛所需要的內存此前主要來自韓國供應商.
內存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因為三星電子優先向PC和系統OEM廠商供貨.
另外有消息稱,海力士
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金士頓 內存 NAND
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業中有獨特的地位。業界有人稱它為半導體業的風向標。
縱觀DRAM發展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
- 2010年存儲器產業熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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存儲器 DRAM NAND
- 三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB，封裝內部堆疊了16塊超薄設計的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。
64GB moviNAND
另外，三星還計劃升級自己的microSDHC閃存卡產品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時，閃存卡的最
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三星 NAND
- 編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機構，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預測值不同，有時差異還不小。據編者的看法任何預測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個市場分析公司其數據來源及分析的范圍各不同，所以數據不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數據相對可靠(經驗值)，如半導體數據是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設備材
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IC NAND DRAM
- 鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產品線，一個原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發布。
這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設計，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預計將面向北美、英國和歐洲大陸發布，128GB版售價大約450美元。
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鎂光 34納米 NAND SSD
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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