- 周一消息 研究機構iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現象，大幅削弱了之前對2009年固態硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。
iSuppli專研行動和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業市場的銷量就會減緩。
多層單元(MLC)規格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
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NAND 閃存 MLC
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。
按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產。
在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。
究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存儲器
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續因市場需求疲軟而下降。
原因是目前正是傳統的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。
由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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英特爾 DRAM NAND 34納米
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術的NAND閃存芯片實現量產。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術做準備，計劃于第四季度推出樣品。
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Micron 納米 NAND USB閃盤
- 雖然固態硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內容,但是由于價格過高的原因今年固態硬盤的市場份額將不會太高.根據DRAMeXchange的最新調查報告表明,固態硬盤在標準筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時由于眾多廠商在主流存儲設備上依然選擇的是機械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應該主要指的是上網本產品.
較高的價格明顯妨礙了固態硬盤向更深市場的侵入,根據市場調研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內存芯片的價格走勢,SSD產品的市場接受度將會下降.
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固態硬盤 NAND 內存芯片
- 近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發布基于34納米制程NAND芯片的固態硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態硬盤出現的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。
固態硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
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英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
- 雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經常拆卸廣受歡迎的消費電子產品而聞名的iSuppli，通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關鍵部件的供應商及評估產品成本。據悉，第三代蘋果手機iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價。
通常而言，最新一代產品的成本要低于上一代，尤其對于iPh
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蘋果 NAND GPS 處理芯片
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產品的市場規格，此新一代存儲技術可滿足載有大量內容和數據平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰。制定針對PCM 產品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡化設計流程并縮短產品開發時間，使制造商能在短時間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產品。
相較于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產重創市場信心，然存儲器業者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產系為蘋果供貨做準備，近期更需關注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰，亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
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三星 NAND 30納米 43納米
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯合開發前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術。
三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發PCM的通用規范，該技術有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非?？欤碾娏繀s低于傳統的NOR和NAND快閃記憶體。
三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規范將于今年完成，預計明年將推出兼容設備。
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三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
- 據市調公司DRAM Exchange的調查，2009年，傳統筆記本市場上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%，而 在低端市場SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價格的上漲。今年上半年，這種規格閃存的價格不斷上揚，而由此產生的利潤空間自然就減小了。
DRAM Exchange聲稱上網本與傳統筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現持續下降的態勢，結果導致“SSD銷量總體表現很糟糕”。相比傳統機械硬盤，SSD硬盤的每GB價格依
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SSD NAND 上網本
- 6月22日消息，據路透社報道，三星電子周一表示，已與日本東芝就半導體業務簽署交叉授權交易。
東芝是繼三星電子之后，全球第二大NAND快閃記憶體(閃存)芯片制造商。
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三星 NAND 芯片制造
- 今年前兩個季度NAND閃存的平均銷售價格(ASP)反彈，令供應商非常高興，使其在2008年經受慘重損失之后又獲得了希望。
為了盡快恢復盈利，這些供應商在2008年紛紛削減產能以應對市場需求疲弱的局面。據iSuppli公司，此后，NAND閃存價格在第一季度上漲了11%，在第二季度估計上漲了28%。
雖然這對于閃存供應商來說是好事，但卻可能對固態硬盤(SSD)在主流PC市場的普及帶來負面影響。SSD的90%由閃存部件構成。
SSD上網本失色
在全球電子市場面臨不確定性之際，PC制造
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SSD NAND 上網本
- SD(安全數碼卡)目前是我們的主要應用產品市場之一。由于有新的標準和產品出現，MMC(多媒體卡)逐漸走向嵌入式應用。SD/MMC目前占我們營收比重仍是最大的，約在30%左右，其實這部分業務在2008年是下滑的，而新業務帶來的收入在增長，2008年慧榮的出貨量增長了35%左右。我們在全球NAND型控制芯片市場占有很大的比重，但由于價格的下降，我們的銷售額與2007年持平。
總的來說，慧榮擁有3大產品線：移動存儲、多媒體單芯片及移動通信。移動存儲產品提供管理閃存的控制芯片，應用范圍包括閃存卡、U盤、
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SD NAND 移動存儲 多媒體單芯片 移動通信
- 據日本經濟新聞報道，東芝表示將關閉部份芯片生產部門，取消近期宣布的分拆決定，以整頓虧損累累的芯片業務。
報導指出，東芝計劃關掉Kitakyushu廠兩條生產線，而巖手縣Toshiba Electronics Co部門6寸晶圓產能則將腰斬。
據報載，公司將裁減生產線的臨時雇員，部份全職員工將改派至芯片部門以外的業務單位。
東芝預估，廢棄生產設備及采取相關措施所耗費的重整費用將達300億日元(約合3億美元)。東芝打算減少6寸或更小尺寸晶圓三成的產量。
公司意圖透過整頓虧損連連的芯片
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東芝 芯片 晶圓 NAND
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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