2010年NAND Flash價格發展持續兩極化

　　NAND Flash市場未脫傳統淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產品新增產能又相當有限，因此2010年NAND Flash價格發展持續兩極化。

　　近期NAND Flash現貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb芯片方面，由于上游NAND Flash大廠的產出有限，因此合約價出現平盤到小漲3%幅度，也預告2010年NAND Flash市場發展逐漸朝兩極化進行。

　　NAND Flash業者指出，農歷春節前的大陸客戶買盤陸續出籠，針對小型記憶卡等產品進行補貨，期望1月底的補貨效應會更加明顯，但整個市場仍在等待系統大廠的回補行情發動，尤其是蘋果的補貨效應，以及新產品平板計算機iSlate采用高容量NAND Flash芯片，都令市場期待甚深。

　　2010 年NAND Flash市場進入30奈米制程世代，三星電子(Samsung Electronics) 由42奈米進入32奈米制程、海力士(Hynix)由41奈米進入32奈米制程、東芝(Toshiba)由43奈米進入32奈米制程，美光 (Micron)和英特爾(Intel)陣營2009年已領先進入30奈米世代，2010年則是要進入20奈米世代，顯示各陣營在制程微縮上相當積極。

　　模塊廠認為，其實2010年NAND Flash產業不用擴增產能，但單靠制程微縮技術，產出即增加不少。

　　同時，2010年三星和東芝也進入TLC芯片技術，成本結構大幅下降，但也造成NAND Flash低容量的芯片價格持續下滑。NAND Flash業者表示，2010年NAND Flash芯片價格是兩極化發展，低價芯片在TLC世代下會更便宜，但高階芯片則在系統大廠、手機應用等帶動下，價格會相對持穩。

　　2010年下游廠認為，2009年NAND Flash芯片價格漲上來后，一直維持高檔盤旋，2010年在制程微縮和TLC芯片出籠下，NAND Flash價格波動會較大，尤其傳統淡季和旺季價格會相當明顯，因此在操作上需要更加小心。