英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

　　英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術——該技術能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量，提供更高的成本效益。

　　NAND閃存可用于存儲消費電子產品中的數據和其它媒體內容，即使在電源關閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動了該技術持續(xù)發(fā)展并不斷出現新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術，也是全球最精密的半導體技術——這項技術成就將使當今的消費電子產品和計算設備能存儲更多音樂、視頻和其它類型數據。

在1.67平方厘米的空間里存儲8GB數據！英特爾、美 光全球首推25納米NAND閃存，領跑半導體行業(yè)

　　該技術由英特爾和美光共同組建的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies(簡稱IMFT)生產，單個25納米制程NAND設備的存儲容量達到8GB，為當前小巧的消費電子產品提供大容量存儲解決方案。其尺寸僅有167平方毫米——小到足以穿過光盤中間的孔，卻能存儲比光盤多10倍的數據(一張標準光盤可存儲700MB數據)。

　　通過對NAND研發(fā)的專注和投資，英特爾和美光大約每18個月將NAND的密度提升一倍，從而帶來尺寸更小、成本效益更高、容量更大的產品。IMFT從2006年就開始采用50納米制程技術生產，緊接著在2008年推出34納米制程技術。憑借今天公布的25納米制程技術，英特爾和美光合作推出了業(yè)內最小的半導體光刻技術，從而進一步加強了在制程和制造領域的領先地位。

　　英特爾公司副總裁兼NAND解決方案事業(yè)部總經理Tom Rampone表示：“通過持續(xù)投資于IMFT，我們不斷推出領先的技術和制造工藝，開發(fā)出成本效益最高、最可靠的NAND存儲產品，這將加快固態(tài)硬盤解決方案在計算設備中的廣泛應用。”

　　美光存儲事業(yè)部副總裁Brian Shirley表示：“英特爾和美光憑借最先進的制程技術引領整個半導體行業(yè)發(fā)展，創(chuàng)造了技術上的奇跡。我們希望進一步挑戰(zhàn)半導體尺寸上的極限。該技術可通過更高密度的媒體解決方案，為我們的客戶帶來巨大的效益。”

　　采用25納米技術的8GB設備現已推出樣品，預計將在2010年第二季度批量生產。針對消費電子產品制造商，該設備提供了密度最大、每個單元可存儲2比特數據的多層式(MLC)芯片，并且支持符合行業(yè)標準的薄型小尺寸封裝(TSOP)，可將多個8GB設備封裝在一起，從而提高存儲容量。與上一代制程相比，全新25納米8GB設備可將封裝的芯片數量減少一半，不僅實現了尺寸更小、密度更高的設計，還提高了成本效益。例如，組成一個256GB的固態(tài)硬盤(SSD)只需32個25納米NAND芯片(之前則需要64個這樣的芯片)，一個32GB的智能手機只需要4個這樣的芯片，而16GB的閃存卡只需要2個。