Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存

　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以領先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業內領先六個月左右，也讓Intel提前搶先發布了34nm第二代X25-M固態硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產的閃存芯片有49%供給Intel客戶、51%供給美光客戶。

　　IMFT 25nm NAND閃存的量產將從今年第二季度開始，下半年開始批量出貨，正好趕上Intel預計年底發布的第三代X25-M固態硬盤，容量有160GB、320GB、600GB等。

　　率先投產的25nm NAND閃存芯片使用了沉浸式光刻技術(對Intel來說是史上第一次)，內核面積167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每單元容量2比特(2-bit-per-cell)。

　　IMFT 25nm NAND閃存支持開放式NAND閃存接口ONFi 2.2，界面速度最高可達200MB/s，頁面(page)尺寸從50/34nm時代的4KB翻番到了8KB，塊(Block)尺寸從128個頁面加倍到256個頁面，這些對性能提升都大有好處，Intel X25-M系列幾乎必然能夠再次狂飆了(只要固件別再出問題)。

　　此前的32nm 4GB 2-bpc MLC NAND閃存芯片面積為172平方毫米，也就是說工藝升級后容量翻了一番，尺寸卻減小了9.7%。

　　其實去年IMFT還宣布了34nm工藝的3-bpc MLC NAND閃存計劃，容量同為4GB，核心面積則只有126平方毫米。這種芯片只適合廉價或者對壽命要求不那么嚴格的產品，比如U盤，在固態硬盤上無論性能還是可靠性都不值得。

　　雖然半導體工藝日益復雜，但IMFT對未來充滿信心，已經瞄準了10mm工藝，相當于只有大約20個原子并排的寬度，還在考慮電荷陷阱型存儲(CTM)技術(取代現有的浮動柵極技術)和3D垂直堆疊技術。

　　按照12-15個月的升級周期，IMFT的下一代新工藝應該會在2011年年中誕生，2012年初投入實用，也許那時候固態硬盤將真正迎來主流地位。