- 英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業IM Flash，為了趕上半導體業2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。
2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術，由IM Flash專門為這2家公司生產NAND Flash。但在半導體景氣循環來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
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三星電子 NAND Flash
- 據外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。
20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業率先投入到了量產。
三星電子相關負責人表示，公司同時開發20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩定性。
三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。
此外，今年2月公布開發20納米制程64GB NAND閃存
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三星電子 20納米 NAND
- Nand+Flash存儲管理在DSP系統中的實現, Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數 據不丟失等一系列優點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統中數據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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系統 實現 DSP 管理 Flash 存儲 Nand
- 據國外媒體報道，三星電子今天發布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價格上漲，該公司第一季度營業利潤同比猛增7倍。
利潤增長
三星的初步財報顯示，該公司第一季度營業利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動區間為2000億韓元，去年同期調整后營業利潤僅為 5900億韓元。根據彭博社的調查，15名分析師此前對三星營業利潤的中位數預期為4.27萬億韓元。
外界預計，受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激，三星第一季度將創下今年最好業績。受此影響，三星股價周一創下歷史新高。分析
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三星電子 NAND 存儲芯片
- 按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著2009年未的迅速地復蘇, 進入2010年時全球半導體業在數量上仍有15-20%的增長。
按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經增長大於75%。在相同的期間美國費城半導體指數也增長相近的量。
當大部分工業分析師都認為今年半導體市場有20%的增長時,Benchmark分析師相信今年非
常可能有22%-24%的增長。
其中某些芯片的庫存包括存儲器，部分模擬電路
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- 嵌入式系統中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統開發設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統中，常應用在程
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- 市場研究機構Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(Samsung Electronics)仍穩居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現意外亮眼，領先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。
在其它市場研究機構的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因為在某些情況下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報告中列出了17家閃存制造商的出貨成績，東芝與
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三星電子 NAND
- 來自調研公司 iSuppli的統計顯示，2009年半導體產業整體處于下滑狀態，但總部在亞太地區的半導體供應商卻實現了逆勢上漲。
亞太區供應商專注熱門產品
iSuppli調研結果顯示，2009年總部位于亞太地區的半導體供應商合計營業收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營業收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。
“去年芯片產業形勢黯淡，而亞太地區的供應商卻設法實現了增長，因為他們專注于
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- 東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產線，生產小于25納米制程的NAND閃存芯片。
目前東芝生產的NAND閃存是采用32與43納米技術，主要應用于手機及數字相機等電子消費產品。為生產新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術，因此，東芝也將進行相應的技術升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產。消息一經公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數0.8%的漲幅
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- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
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Micron NAND Flash
- 由于目前存儲器供應短缺、供不應求，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預期2010年的營收可望達到10年來的最高點。
目前DRAM市場正處于供不應求的狀態。自2009年全球經濟逐漸回溫后，企業放寬支出，對個人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年PC銷量就可能較2009年增加10%，帶動了DRAM的需求量上升。
另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動設備的市場規模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節
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- 據iSuppli公司，由于來自高密度應用的需求上升以及供應商的產量穩步增長，NAND閃存價格波動了兩年之后，該市場已恢復穩定。
第一季度NAND平均價格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。
NAND價格持續透明，導致2009年第四季度營業收入創出最高記錄，使得多數NAND供應商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需
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閃存 NAND
- 三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產線。
YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區在當地時間
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三星電子 DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產線。
Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區在
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三星電子 DRAM NAND
- 韓國三星電子公司近日表示本月24日下午，其設在Kiheung地區的一個NAND閃存生產基地遭遇了斷電事故，不過據三星公司的發言人表示這次為期一小 時的斷電并沒有對其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產造成顯著影響。
據三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負責為三星生產內存芯片，而Fab14則主要生產NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產能大約分別是12萬/13萬片晶圓。
無獨有偶，20
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三星電子 NAND 晶圓
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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