- 東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現有的生產運營中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠，這間芯片廠將于今年七月份開始動工。目前，東芝設在四日市的生產運營中心 已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發了全球經濟危機，而NAND閃存芯片的市場需求也一度相當萎靡，但近期隨著智能手機和其它應用型產 品的熱銷，閃存芯片的市場需求已經開始回暖，而且未來一段時間內還將保持增長趨勢，因此東芝最終作出了開工建造Fab5芯片廠的決定。
按照東芝的計劃，其Fab5工廠將于明年春季完工，而后期的投資力度和
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東芝 NAND 閃存芯片
- NAND Flash控制芯片市場曾吸引眾多IC設計業者爭相投入，隨著快閃記憶卡市場飽和，以及固態硬碟(SSD)競爭對手環伺，過去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時代已不再，未來NAND Flash大廠對于控制芯片業者而言，恐怕不再是大樹好乘涼，尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進SSD時代后，由于用在PC的零組件輕忽不得，遂紛收回控制芯片采購權，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片產業勢必將展開一波整合及淘汰賽。
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三星電子 NAND IC設計
- 日本最大的內存芯片廠商東芝將重啟因經濟衰退而擱置的產能擴展計劃，它將從7月開始建設新的閃存生產廠。
東芝表示，新生產廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產線，預計在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產廠的建設成本。
包括蘋果iPhone在內的智能手機銷售的增長，推動了NAND內存需求的增長。據市場調研公司 iSuppli預計，NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達到181億美元。
東芝發言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產廠的投資規模，但是建立新
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東芝 內存芯片 NAND
- Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關U盤、記憶卡、固態硬盤等各種產品。
IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產，這也是該領域的制造工藝首次進軍到30nm之下，并應用了沉浸式光刻技術。新閃存內核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總容量8GB，相比現有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內核面積卻小了十分之一。
Intel NA
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Intel NAND 25nm
- 2009年全球半導體產業急劇下滑，但亞太的芯片廠商安然無恙。總部在亞太地區的半導體供應商，2009年合計營業收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營業收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。
“去年芯片產業形勢黯淡，而亞太地區的供應商卻設法實現了增長，因為他們專注于熱門半導體產品而且受益于該地區的強勁需求，”iSuppli公司市場情報服務資深副總裁Dale Ford表示，“
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半導體 NAND LED
- 據報道，包括威剛、創見、PQI勁永等在內的臺灣閃存產品廠商以及閃存控制器廠商群聯電子近期都已經開始從SanDisk公司購買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經從自有品牌閃存設備制造商，搖身一變成了NAND晶圓供應商。
據稱，SanDisk已經從閃存制造合作伙伴東芝一道，成了多家臺灣閃存產品廠商的上游供應商之一。實際上，自2008年起就有傳言稱SanDisk將對外供應NAND閃存，但在當時在全球閃存市場供求旺盛的狀況下，SanDisk一致謹慎的實行自有品牌的戰略。隨著近一兩年全球金融危機以
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SanDisk 閃存控制器 NAND 閃存晶圓
- 最近NAND閃存芯片產業內部的競爭激烈程度已經到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯盟剛剛宣布將在今年量產25nm制程NAND閃存芯 片，其對手SanDisk-東芝聯盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產品。
據SanDisk公司展示的產品發展路線圖顯示，SanDisk-東芝聯盟推出的24nm制程NAND閃存芯片將可適用于兩位元存儲單元設計和三位元存儲單元設計。而Intel-鎂光聯盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲單
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- 鎂光公司NAND閃存市場開發部門的經理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術，以取代現有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術。
Killbuck還向Digitimes網站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規范。目
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鎂光 NAND 25nm
- 2010年全球存儲器可能出現供應缺貨，而且非常可能會延續下去。為什么?可能有三個原因，1)，存儲器市場復蘇;2)，前幾年中存儲器投資不足;3)，由ASML供應的光刻機交貨期延長。
巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報告中指出，通過存儲器的食物供應鏈看到大量的例證，認為目前存儲器供應偏緊的局面將持續2010整年，甚至延伸到2011年。
據它的報告稱，2010年全球NAND閃存的位增長可達70%，而2009增長為41%。2010年全球DRAM的位增長達52%。
Luke認為
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存儲器 NAND 光刻機
- 消息人士周三透露，東芝未來三年內將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。
報道稱，東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠，但受經濟衰退致產品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠計劃。
市場調研公司iSuppli此前發布報告稱，全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場，其NAND閃存
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東芝 NAND 閃存芯片
- 南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片之后，他們已經于日前成 功開發出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產品.
按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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Hynix 26nm NAND 閃存芯片
- 業界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜，并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱：”我聽說鎂光有可能會收購 Numonyx公司，這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產品服務的一站式廠商。“
此前鎂光已經與Intel公司合資成立了專門生產NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來也是Intel內部負責NOR閃存的部門，不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
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Numonyx NAND NOR閃存
- 在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業務的一個驚人規劃，他們計劃在閃存技術和SSD產品市場上取得領先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場 上扮演領軍人的角色。看起來他們并不愿意在風水輪流轉的NAND閃存散片市場和三星，現代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現出想把三星從SSD業 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。
Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
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Intel NAND 閃存
- 據報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。
美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經確認此事，并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現任應用材料副總裁，另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。
應用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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應用材料 DRAM NAND
- 32位MCU強勢增長
從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位，到10月底時，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭，這
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MCU NAND NOR Android
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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