- 電子系統的密度越來越大，溫度也越來越高，這意味著許多系統將需要采用某種方法來管理熱量。雖然并不是每項設計都需要開發熱管理解決方案，但要避免關鍵部件因溫度升高而損壞，設計人員對熱量產生、移動和消除的基本理解是至關重要的。最后，熱管理需要在早期設計階段就加以考慮，而不是在最終設計中作為一個創可貼式的解決方案。熱管理基礎知識由于市場對電子系統的要求越來越高，理論上規定了用于部件冷卻的三種熱量傳遞方式：傳導、對流和輻射。在傳導方式下，通過兩個物體之間的物理接觸轉移熱能，其中較冷的物體自然地從較熱的物體中吸取能量，
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熱管理 珀爾帖器件 TIM
- 器件通過AEC-Q200認證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上，具有高脈沖處理能力，功率耗散達120 W 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款通過AEC-Q200認證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脈沖處理能力，在85 °C底殼溫度下，功率耗散達12
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Vishay 厚膜功率電阻器 NTC熱敏電阻 PC-TIM
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗
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MOSFET TIM IGBT
- 在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動、可再生能源管理展覽會(2013年6月18日至20日)中，英飛凌科技股份公司成功推出由其開發的可降低功率半導體金屬表面與散熱器之間接觸熱阻的導熱界面材料 (TIM)。TIM采用全新D系列的EconoPACKTM +，客戶可以親自見證這種導熱膏可令導熱性能顯著提升。
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英飛凌 半導體 TIM
- 功率半導體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導體中。只有這樣，它們才能確保實現長期的可靠散熱。其中一個技術瓶頸是功率器件和散熱器之間的導熱膏。在高功率密度的情況下，目前所用材料往往不能滿足與日俱增功率密度的提高。
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英飛凌 功率半導體 TIM
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