- Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內部續流二極管(FWD)、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT(PPI),進一步壯大其高功率Prime Switch系列的產品陣容。該PPI專為輸配電應用而設計,是大電流模塊化多電平轉換器(MMC)、中壓驅動器、直流電網斷路器、風電變流器和牽引系統的理想選擇。Prime Switch IGBT的阻斷電壓為4.5 kV,不帶有FWD的型號電流為3000 A,帶有FWD的型號為 2000 A。英飛凌為3000
- 關鍵字:
IGBT FWD
- 本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節省成本方面來看,工業傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優點。摘要由于電動馬達佔工業大部分的耗電量,工業傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發的碳化
- 關鍵字:
MOSEFT FWD ST IGBT
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