東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內置保護功能的光耦
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業逆變器和光伏（PV）的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202003/410764.htm新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。
目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器，僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流，有助于降低功耗。
通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小，TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求，從而簡化設計。
其他功能包括：在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”；另外，除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外，還有UVLO[3]檢測，將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。
應用：
? IGBT與功率MOSFET柵極驅動（預驅動）
? 交流電機和直流無刷電機控制
? 工業逆變器與不間斷電源（UPS）
? 光伏（PV）電源調節系統
特性：
? 內置有源時序控制的雙輸出，適用于驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩沖器。
? 當檢測到過流時，通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間。
? 當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時，故障信號會輸出到一次側。
TLP5231產品示意圖
主要規格：
（除非另有說明，@Ta＝-40至110℃，典型值@Ta＝25℃）
器件型號 | TLP5231 | |
絕對最大額定值 | 峰值高電平輸出電流IOPH（A） | -2.5 |
峰值低電平輸出電流IOPL（A） | +2.5 | |
電氣特性 | VOUTP高電平輸出電流IOUTPH最大值（A） | -1.0 |
VOUTP低電平輸出電流IOUTPL最小值（A） | 1.0 | |
VOUTN高電平輸出電流IOUTNH最大值（A） | -1.0 | |
VOUTN低電平輸出電流IOUTNL最小值（A） | 1.0 | |
高電平供電電流（VCC2）ICC2H最大值（mA） | 10.2 | |
低電平供電電流（VCC2）ICC2L最大值（mA） | 10.2 | |
高電平供電電流（VEE）IEEH最小值（mA） | -9.2 | |
低電平供電電流（VEE）IEEL最小值（mA） | -9.2 | |
閾值輸入電流（H／L）IFHL最大值（mA） | 3.5 | |
建議工作條件 | 總輸出供電電壓（VCC2-VEE）（V） | 21.5至30 |
負輸出供電電壓（VE-VEE）（V） | 6.5至15 | |
正輸出供電電壓（VCC2-VE）（V） | 15至23.5 | |
開關特性 | 傳播延遲時間（L／H）tpLH（ns） | 100至300 |
傳播延遲時間（H／L）tpHL（ns） | ||
傳播延遲偏差（器件到器件）tpsk（ns） | -200至200 | |
高電平共模瞬態抑制CMH最小值（kV/μs） | ±25 | |
高電平共模瞬態抑制CML最小值（kV/μs） | ±25 | |
功能 | 保護功能 | IGBT VCE(sat)檢測、欠壓鎖定（UVLO）[4] |
反饋（故障）：在檢測到VCE(sat)或UVLO（集電極開路輸出）時激活 | ||
隔離特性（@Ta＝25℃） | 隔離電壓BVS最小值（Vrms） | 5000 |
機械參數 | 最小電氣間隙（mm） | 8.0 |
最小爬電距離（mm） | 8.0 | |
內部最小隔離厚度（mm） | 0.4 | |
庫存查詢與購買 | 在線購買 | |
注釋：
[1] 柵極信號軟關斷、故障反饋功能
[2] TLP5214、TLP5214A
[3] UVLO：欠壓鎖定
[4] 常見VE
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