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三星領(lǐng)先臺積電引入7納米EUV技術(shù)，今年代工市場欲超車聯(lián)電
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，7月11日，韓國三星電子在首爾舉行的說明會上，向客戶等各方介紹了半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰(zhàn)略。新一代7納米半導(dǎo)體將采用最尖端的制造技術(shù)，從2018年開始量產(chǎn)。此次說明會上，三星展示了發(fā)展藍(lán)圖，記載了決定性能好壞的電路線寬的微細(xì)化進(jìn)程。三星表示，采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計劃從2018年開始接單，5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率，7納米以下的產(chǎn)品曾被認(rèn)為難以實現(xiàn)商用化，而EUV是
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延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵
- 臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問題仍是相對有力的解決方案。 每一季的臺積電法說會上，張忠謀董事長或是共同執(zhí)行長對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會對臺下觀眾做一專門的報告，法人代表對于EUV的導(dǎo)入時程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對于臺積電未來發(fā)展甚至
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KLA-Tencor 快速有效解決客戶良率問題 與中國半導(dǎo)體行業(yè)一同成長
- 看好中國半導(dǎo)體行業(yè)未來持續(xù)的蓬勃發(fā)展，工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過半導(dǎo)體檢測與量測技術(shù)，以最快的速度及最有效的方式 ，幫助客戶解決在生產(chǎn)時面對的良率問題。KLA-Tencor立志于幫助中國客戶一起提升良率，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，并與中國半導(dǎo)體行業(yè)一同成長。 KLA-Tencor中國區(qū)總裁張智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，現(xiàn)于全球17國擁有6000多位員工。2016財年，KLA-Tencor營收表現(xiàn)來到30億美元。從硅片檢
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半導(dǎo)體押寶EUV ASML突破瓶頸 預(yù)計2018年可用于量產(chǎn)
- 摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問世以來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規(guī)則前進(jìn)發(fā)展，過去數(shù)十年來包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續(xù)的突破，才得以讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進(jìn)，進(jìn)而帶動全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)前進(jìn)。 但為延續(xù)產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展，光是依賴于傳統(tǒng)微影技術(shù)仍不夠，因此芯片制造商也正在苦思試圖進(jìn)行一次重大且最具挑戰(zhàn)的變革，即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù)，該技術(shù)也成為臺積電、英特爾(Intel)等
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移
- 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大，氣象探測設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機(jī)場配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠為航空飛行提供機(jī)場上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度。基于保障風(fēng)廓線雷達(dá)正常運行的目的，通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗，實現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時間提高了95%。
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何
- ASML宣稱它的Q2收到4臺EUV訂單，預(yù)期明年EUV發(fā)貨達(dá)10臺以上。 EUV光刻設(shè)備一再延遲，而最新消息可能在2020年時能進(jìn)入量產(chǎn)，而非常可能應(yīng)用在5nm節(jié)點。 業(yè)界預(yù)測未來在1znm的存儲器生產(chǎn)中可能會有2層或者以上層會采用它，及在最先進(jìn)制程節(jié)點(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會有6-9層會使用它。 ASML計劃2018年時它的EUV設(shè)備的產(chǎn)能再擴(kuò)大一倍達(dá)到年產(chǎn)24臺，每臺售價約1億美元，目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺，正在作各種測試。 半導(dǎo)體顧問公司的分析師Ro
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重回摩爾定律兩大武器... EUV＋三五族 成大勢所趨
- 英特爾在14奈米及10奈米制程推進(jìn)出現(xiàn)延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業(yè)界及市場質(zhì)疑：摩爾定律是否已達(dá)極限?不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV)，以及開始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導(dǎo)體材料。 摩爾定律能否持續(xù)走下去，主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersionlitho
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EUV微影技術(shù)準(zhǔn)備好了嗎？
- 又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時刻了。縱觀整個半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。 到了下一代的10nm節(jié)點，降低每電晶體成本將會變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點時導(dǎo)入EUV微影。更進(jìn)一步來看，當(dāng)擴(kuò)展到超越5nm節(jié)點時可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。 目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長久以來一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話，7nm制程將會成為一個昂貴的半節(jié)點。 不過，研究人
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EUV將在7納米節(jié)點發(fā)威？
- 核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點因為無法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得
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KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統(tǒng)
- KLA-Tencor 公司(納斯達(dá)克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計節(jié)點。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿足檢驗
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