- 據美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中，英特爾堅定不移地延續著摩爾定律的魔力。
摩爾定律是由英特爾聯合創始人GordonMoore提出，內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。
在幾十年來，芯片技術得以快速變革和發展，變得更加強大，節省了更
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EUV 摩爾定律
- 微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產出片數為43片，預計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時產出125片。
半導體生產進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導致生產流程拉長，成本會大幅墊高，半導體大廠為
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ASML EUV
- 極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產瓶頸。傳統浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產業明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度，預計2015年可發布首款量產型EUV機臺。
ASML亞太區技術行銷協理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究，但目前對相關設備的開發計劃仍抱持觀望態度。
ASML亞太區技術行銷協理鄭國偉表示，ASML于2012年
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ASML EUV
- 5月7日消息，全球代工市場規模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預計2013年還將有14%的增長。
臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導體巨頭開始出現較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發展先進制程技術，希望在10nm附近全面趕上英特爾。
而另一家代工廠格羅方德近日也發出聲音，要在兩年內，在工藝制程方面趕上臺積電。
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半導體代工 EUV
- Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發正在按計劃順利進行，會在一到兩年內投入量產。
2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發，并為其投產擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產要等到2014年了。
而從2015年開始，Intel又會陸續進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節點。
Rattner指出，Intel
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Intel 晶圓 EUV
- 而關于臺積電是否足夠支應大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現金，估計今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現金流，且臺積電今年預估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費用。
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臺積電 EUV
- IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難，所以允許A2的正
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100 0.1 KHZ NA
- IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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EUV 晶圓
- 美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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光刻 EUV
- GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。
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GlobalFoundries EUV
- 英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。
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英特爾 EUV
- 當半導體業準備進入14/15nm節點時，將面臨眾多的技術挑戰
對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現。按IBM技術經理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰。
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EUV 節點技術
- 目前次世代微影技術發展仍尚未有主流出現，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術最快于2014年可望進入量產，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產。
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微影技術 EUV
- 繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產。
由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
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臺積電 EUV 晶圓代工
- 英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發生在2015年。
Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。
在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產
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英特爾 11納米 EUV
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