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專利設(shè)計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導(dǎo)通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。 羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開始量產(chǎn)。 羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關(guān)為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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一款專為SiC Mosfet設(shè)計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機、工業(yè)設(shè)備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預(yù)見，SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢： i. 低導(dǎo)通電阻RDS
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世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。 另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
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英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）
- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動電源等開關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。 英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
- 近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。 TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會所向披靡嗎？
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
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SiC功率器件的技術(shù)市場走勢
- 摘要：探討了SiC的技術(shù)特點及其市場與應(yīng)用。 近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會。此次交流學(xué)習(xí)會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
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LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起
- 第一代半導(dǎo)體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。 目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當(dāng)今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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ROHM：國際半導(dǎo)體巨頭的“小”追求和“低”要求
- 近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設(shè)備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設(shè)備的微型化，設(shè)備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導(dǎo)體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢。 談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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