安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)。

　　安森美半導(dǎo)體最新發(fā)布的650 V SiC 二極管系列提供6安培(A)到50 A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容量和正溫度系數(shù)。

　　工程師在設(shè)計(jì)用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。

　　這些650 V器件提供的系統(tǒng)優(yōu)勢包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓(VF)及SiC二極管的無反向恢復(fù)電荷能減少功率損耗，因而提高能效。SiC二極管更快的恢復(fù)速度令開關(guān)速度更高，因此可以縮減磁性元件和其他無源元件的尺寸，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更小的整體電路設(shè)計(jì)。此外，SiC二極管可承受更高的浪涌電流，并在 -55至 +175°C的工作溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定性。

　　安森美半導(dǎo)體的SiC肖特基二極管具有獨(dú)特的專利終端結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)可靠性并提升穩(wěn)定性和耐用性。此外，二極管提供更高的雪崩能量、業(yè)界最高的非鉗位感應(yīng)開關(guān)(UIS)能力和最低的電流泄漏。

　　安森美半導(dǎo)體MOSFET業(yè)務(wù)部高級副總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示：“安森美半導(dǎo)體新推出的650 V SiC二極管系列與公司現(xiàn)有的1200 V SiC器件相輔相成，為客戶帶來更廣泛的產(chǎn)品范圍。SiC技術(shù)利用寬帶隙 (WBG) 材料的獨(dú)特特性，比硅更實(shí)惠，其穩(wěn)健的結(jié)構(gòu)為嚴(yán)苛環(huán)境中的應(yīng)用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡化的、性能更佳、尺寸設(shè)計(jì)更小的新器件。”

　　封裝與定價(jià)

　　650 V SiC二極管器件提供DPAK、TO-220和TO-247封裝，每千件的單價(jià)為1.30美元至14.39美元。

　　欲了解更多安森美半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品組合如何實(shí)現(xiàn)更高的能效和可靠性，請?jiān)L問碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品網(wǎng)頁，以及博客《碳化硅二極管的最低功率損耗可實(shí)現(xiàn)最高功率密度》。

　　歡迎蒞臨安森美半導(dǎo)體在美國APEC #601號展臺，觀看SiC MOSFET和二極管的現(xiàn)場演示，展示安森美半導(dǎo)體最新的仿真建模技術(shù)如何精確地匹配真實(shí)的器件工作。