基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
南方科技大學深港微電子學院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點實驗室，圍繞中國半導體產業鏈，培養工程專業人才，搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區乃至全國的集成電路產業發展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產業推廣和人才培養成績斐然，在國產芯片發展浪潮中引人矚目。
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集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計算機服務器、電信設備、燈具和消費電子等各種應用場景。諧振變換器可以很容易地實現高能效，其固有的較寬的軟開關范圍很容易實現高頻開關，這是一個關鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
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MOSFET IC
西門子數字化工業軟件宣布與日月光（ASE）合作推出新的設計驗證解決方案，旨在幫助雙方共同客戶更便捷地建立和評估多樣復雜的集成電路（IC）封裝技術與高密度連接的設計，且能在執行物理設計之前和設計期間使用更具兼容性與穩定性的物理設計驗證環境。新的高密度先進封裝（HDAP）支持解決方案源于日月光參與的西門子半導體封裝聯盟 （Siemens OSAT Alliance），該聯盟旨在推動下一代IC設計更快地采用新的高密度先進封裝技術，包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圓級封裝（FOWLP）。日月光是半導體封裝和測
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IC ASE
要點： 作為新思科技Fusion Platform的一部分，IC Compiler II憑借其行業領先的容量和吞吐量，加速實現了包含超過590億個晶體管的超大規模Colossus IPU新思科技RTL-to-GDS流程中針對AI硬件設計的創新優化技術提供了同類最佳的性能、功率和區域（PPA）指標集成式黃金簽核技術帶來可預測且收斂的融合設計，同時實現零裕度流程新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，其行業領先的IC Compiler? II布局布線解決方案成
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新思科技 IC Compiler II Graphcore
GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業電源，可以實現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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GaN FET SiC
John Grabowski：安森美半導體電源方案部門的首席應用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體，此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設計，應用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統。最近，他的團隊積極推動將高功率半導體應用于汽車電子化。引言為應對氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區的法律強制要求汽車制造商做出這些改變。為實現這一目標，其中一種方式就是采用混合動力，即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
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GaN 48V
日前， KLA公司 宣布推出Kronos? 1190晶圓級封裝檢測系統、ICOS? F160XP芯片分揀和檢測系統以及下一代的ICOS? T3 / T7系列封裝集成電路（IC）組件檢測及量測系統。這些新系統具有更高的靈敏度和產量，并包含下一代增強算法，旨在應對特征尺寸縮小、3D結構和異構集成所帶來的復雜性，從而在封裝階段推進半導體元件制造。憑借更可靠地實施這些先進封裝技術，KLA的客戶將無需依賴縮小硅設計節點就能夠提高產品性能。該產品組合的性能提升將提供良率和質量保證，幫助
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IC EPC
延續9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續強勁，雙良節能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發現，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產業鏈業務，或已積累相關技術專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業務，或已出貨相關產品，但多數為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產業概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
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第三代芯片 三代半導體 GaN
全球微電子工程公司 Melexis 宣布，近日推出一款通過AEC-Q100認證的QVGA飛行時間傳感器 IC---MLX 75026，該產品現已量產。MLX 75026 是 Melexis 第三代 QVGA ToF 芯片，進一步擴展了該產品組合。在量子效率和距離精度方面，MLX 75026 的性能是前一代 ToF 傳感器 IC 的兩倍。此外，MLX 75026 與第三代 VGA ToF 傳感器 IC MLX 75027具有軟件兼容性，可方便地實現 VGA 和 QVGA 分辨率遷移。新款傳感器 IC 的尺寸
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DMS IMS IC
領先的電池和電源管理、Wi-Fi、低功耗藍牙（BLE）、工業IC供應商?Dialog半導體公司?和針對車載信息娛樂系統（IVI）和智能座艙解決方案的領先汽車系統級芯片（SoC）供應商?Telechips?近日聯合宣布，Dialog將作為Telechips的優選電源管理合作伙伴，為其最新的Dolphin+QD（TCC8059）、Dolphin 3E（TCC8053）/ Dolphin 3M（TCC8050）和Dolphin 3H（TCC8060）等平臺提供電源管理解決
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DVS IC
(?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術，在該公司今天同時發布的新設計范例報告 (?DER-920?) 中，展現了
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GaN IC PWM
德州儀器（TI）近日發布了Cadence 設計系統公司的PSpice?仿真器的新型定制版本。此版本使工程師可自由對TI電源和信號鏈產品進行復雜的模擬電路仿真。PSpice for TI提供了全功能電路仿真，包括不斷增長的5700多種TI模擬集成電路（IC）模型庫，使工程師比以往任何時候都能更容易地評估用于新設計的組件。許多硬件工程師面臨的需要在緊湊的項目時間內進行精確設計的需求日漸增長。如無法可靠地測試設計，可能會導致生產時間表嚴重滯后并帶來高昂的代價，因此仿真軟件成為每個工程師設計過程中的關鍵工具。&n
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IC PCB
新基建涵蓋了廣泛的領域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰。其中最大的挑戰之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅動器和保護功能，可提供優異的開關速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動器、電網基礎設施和汽車
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OBC GaN 202009
Mentor, a Siemens business 近日宣布旗下多條產品線和工具已經通過臺積電?(TSMC)最新的3nm (N3) 工藝技術認證。臺積電設計基礎架構管理事業部高級總監Suk Lee 表示：“此次認證進一步體現了Mentor對于雙方共同客戶以及臺積電生態系統的突出價值。我們很高興看到Mentor的系列領先平臺正不斷地獲得臺積電認證，以幫助我們的客戶使用最先進的工藝技術在功耗和性能方面獲得大幅提升，進而成功實現芯片設計。”此次獲得臺積電N3工藝認證的 Mentor 產品包括Anal
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IC RF
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